CdSSe掺杂玻璃中的光致暗变效应研究

本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.     

Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．     

表面修饰的CdS半导体超微粒子的光学性质研究

由于半导体超微粒子(1—100nm)存在着显著的量子尺寸效应,使得它们的光物理和光化学迅速成为目前非常活跃的研究领域。当半导体超微粒子尺寸减小时,它们的吸收光谱和发射光谱发生兰移,同时引起其价带和导带形成一系列分立的能级。另外,由于这些超微粒子的尺寸很小,拥有相对大的表面积,因此在粒子表面存在着许多表面缺陷,严     

光谱烧孔介质中超快光学信号的光谱全息方法研究

从理论和实验上给出一种新的确定光场自相关和互相关函数方法，其相关测量可以达到亚ｐｓ量级的超高时间分辨率，动力学范围超过５个数量级，利用这种方法在光谱烧孔材料中实现了全息方式写入和场相关方法读出。     

半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe中吸收光学非线性和双稳现象研究

室温下半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x=0.01)具有较宽的带边吸收.采用泵浦-探测系统观测到随激发功率增加吸收边的蓝移.在激发波长(532—560nm)范围内都能得到光学双稳现象.双稳开关时间短到800ps.讨论了双稳性的来源.