主轴旋转精度对晶体切割精度影响的研究

通过对半导体材料内圆切割机主轴旋转精度和刚度的分析,提出了提高主轴旋转精度的措施,使主轴具有极高的动静态刚性和优良的热平衡结构,减小主轴轴向跳动和径向跳动,减小刀片工作面与晶体加工面之间的相对振动,从而将切割材料表面的冲击力降到最小,避免晶体材料切割中的飞片、碎片和刀纹。     

CMP抛光运动机理研究

通过对硅晶片化学机械抛光过程中抛光运动机理的理论分析,研究了硅晶片的抛光运动特性,探讨了主要工艺参数对硅晶片化学机械抛光后晶片表面粗糙度和表面平整度、抛光均匀性的影响规律。     

我国切割设备的现状与展望

简述了国内外切割设备的最高水平和发展趋势 ,比较了国内与国外切割设备的差距及我国切割设备发展中存在的问题 ,提出了面对WTO发展我国切割设备应采取的措施和对策。     

多线切割机砂浆混合搅拌理论研究

在针对目前太阳能行业和半导体行业普遍使用多线切割机切割单晶硅和多晶硅所使用的砂浆即SiC微粉与工作介质—轻质油混合搅拌而成的悬浮液,定量和定性剖析了混合搅拌的概念、分类、微观机理,并指出混合搅拌达到均匀混合的检验条件和方法。     

多线切割机的切割运动分析

半导体晶圆不断向大直径方向发展,内圆刀具的单片切割方式已经不能满足大直径晶圆的切片要求,随着多线锯切割技术的完善,多线切割机已经是半导体材料切片的主流设备。对砂粒在切割过程中的运动进行了分析,同时对钢线张力、切削进给运动进行了理论分析。     

CMP中铜的碟形缺陷的研究

具体分析了铜的碟形缺陷并非由于抛光垫的弯曲造成,但是与抛光垫的表面形态有关,在此基础上,分析了铜CMP的作用机制,初步定性指出造成铜的碟形缺陷的原因,并对缺陷进行建模。比较了铜的碟形缺陷的电阻实际测量值和理论计算值,发现带碟形缺陷的电阻均大于理论值,并且随着铜的线宽增大,碟形缺陷也呈增大趋势。详细比较了选择性抛光液和非选择性抛光液对碟形缺陷的作用,从理论和测绘图形上证明选择性抛光液是造成碟形缺陷重要因素之一。采用了综合的工艺实验,最后得出抛光垫的种类及选择性抛光液在过抛光的情况下,是造成铜碟形缺陷的主要因素。     

SiC用多线切割技术与设备的发展现状与趋势

介绍了SiC用多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包铜会造成SiC片表面金属残留,钢线磨损影响Si C片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了SiC片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。     

DXQ-601型多线切割机关键技术研究

从SiC颗粒受力情况入手,建立理论模型,根据多线切割机锯切机理,分析了切削变形分力和摩擦力引起的锯切力以及锯切力与工件的厚度、工件进给速度、锯丝的锯切速度、工件材料的性质等的关系,为多线切割机研制提供理论依据。     

线锯切割失效机理的研究

通过对多线切割机切割工艺过程中失效机理的分析研究,提出了影响线锯切割失效的因素且分析了锯丝断线的主要原因和砂浆磨粒丧失切削力的过程,并提出了相应的预防改进措施。     

DX Q-601型多线切割机关键技术研究

从SiC颗粒受力情况入手,建立理论模型,根据多线切割机锯切机理,分析了切削变形力和摩擦力引起的锯切力以及锯切力与工件的厚度、工件进给速度、锯丝的锯切速度、工件材料性质等的关系,为多线切割机研制提供理论依据.