SiO2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响

提出了一种基于器件物理的4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应.利用此模型,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素.其中,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率.该模型能较好地应用于器件模拟.     

SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响

提出了一种基于器件物理的4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应.利用此模型,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素.其中,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率.该模型能较好地应用于器件模拟.     

新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究

采用新颖的NO和O2 CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。     

MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟

分析了金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的响应机理,将SBD热电子发射理论和氢吸附-解吸理论相结合,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化,建立了MISiC SBD气体传感器物理模型,模拟结果与实验十分吻合.采用此模型,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系,并在灵敏度、可靠性和工作电流/电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计,对于300 ℃左右的高温应用,确定出最佳绝缘层厚度为2～2.3 nm.     

N2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析

采用N2O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术,对传感器的响应特性进行了研究.实验结果表明,N2O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能,可在高温(如300 ℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进.