5公分中功率高效率高稳定度FET振荡器

我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。     

高隔离度低噪声微波混频器的设计

一、前言微波集成电路的发展给微波接收机的小型化,轻量化打下了坚实的基础。然而在使用中发现,一般所习惯采用的3db分支线式平衡混频器其隔离度较低(这是此电路固有的问题,一般在10～14db左右)而使得本振的调整及匹配情况较大程度地影响了信号支路的匹配。使得整机调整困难,一致性较差,生产性不好。这样在结构已定,不允许加     

5cm低噪声场效应管放大器的设计

一、前言为解决提高整机接收灵敏度,降低噪声系数的要求,依据小型化、轻量化的原则,笔者在一块25×30mm~2,两块25×20mm~2的高铝瓷片上,利用一四一三研究所研制的低噪声场效应管做成两级C波段低噪声场效应管放大器。在5.1—6.1GHz频段上,获得噪声系数N_F:3～4 db(包括混频器等后级噪声系数在内);增益:G≥12db;1db增益压缩点为4 dbmw的结果。基本上得到了管子所给出的最好指标,达到了国内先进水平。分别在多部整机上试用,效果较好,一般可提高整机接收灵敏度10db左右。大大降低了接收通道对发射功率的要求,缓和了发送功率与接收间的矛盾。本文简要地分析介绍了场效应管放大器设计的基本思想及具体计算方法。     

C波段立体微带电路GaAs FET功率放大器

利用一四一三所研制的微波功率砷化镓FET,研制了一种高增益的五级功率放大器,末级利用功率合成。在C波段,线性增益31dB,1dB增益压缩点输出功率为860mw。当输入信号为1mw时。中心频率输出为940mw,效率达10%左右。     

使用介质谐振器反馈电路的C波段GaAsFET振荡器

采用低噪声场效应晶体管,研制出一种高稳定度的小功率场效应管振荡器。它采用了介质谐振器作并联反馈电路,并加有稳定电阻。研制工作表明,这种振荡器具有大于1000的外部Q_(es)值,可在无滞后的情况下工作,并具有高的稳定性和宽的频率调谐范围。在5.5GHz频率上,输出功率为10mw,效率为25％,调谐带宽大于500MHz。在-40℃～十70~C温度范围内频漂小于±0.6MHz,频温系数小于±l PPM/℃。     

中文文本压缩的LZW算法

结合中文文本中的汉字编码方式、大字符集以及重复字串不长三个不同于英文文本的结构特点对LZW算法从读取数据方式、基本码集和字典码值输出方式三方面进行了修改。改进后的算法对中文文本的压缩比平均比LZW19提高了19%且压缩和解压速度与后者相当,其对较长的中文文本的平均压缩比已接近或者超过了压缩软件WinRAR。     

无线电高度表微波集成前端

研制的4.3GHz无线电高度表微波集成前端已得到实际应用,它代替了整机原用的振荡-放大一倍频方案,提高了效率、减小了体积.微波集成前端采用了高线性度FET压控振荡器作发射源,采用高隔离度的单桥路不等负载三分贝混合环混频器.在-40°～70℃的环境温度范围内发射功率大于150mW,压控带宽123MHz,线性度小于3%,接收机噪声系数小予8dB.