四氯化硅氢还原法亚微米薄层硅外延生长

本文叙述了供4 mm雪崩二极管用的亚微米硅外延膜的制备过程。文中给出了若干结果。     

硅外延反应器中氢与石墨热化学反应的研究

在氢气中,石墨在高温下不是一种化学稳定的物质.本文叙述在开管系统条件下,用气相色谱分析的方法对硅外延系统中氢与石墨的热化学反应产物作了检测.实验结果表明,在1050～1250℃外延温度范围内可明显地观察到甲烷、乙炔、乙稀等碳氢化合物,它们在H_2中浓度有的可达几十ppm~*.在整个外延生长过程中,特别是在生长起始阶段,这些反应产物有可能对H_2带来沾污,并对外延晶体完整性产生一定影响.文中也报道了石墨基座在不同涂层材料如硅、碳化硅等包涂条件下,氢与石墨反应产物相应减少的结果.