1983年国际固体电路会议

<正>1983年际固体电路会议(以下简称ISSCC)于2月23至25日在美国纽约召开.一年一次的固体电路会议是IEEE组织内所有专业会议中规模最大的一个全球性学术会议.它是世界范围内半导体技术,尤其是固体电路技术最新研究成果和未来发展趋势的一个标志.第一次     

微波半导体技术的发展与展望

本文简要地叙述了微波半导体技术的发展过程和现状,并着重从器件或电路功能的角度介绍了当前正在开发的重点,概略地展望了它的发展前景,提出了发展我国微波半导体技术的一般见解。     

回顾与思考——纪念晶体管发明四十周年

<正> 四十年前晶体管的发明被人们看作是电子学领域中的一场革命,它预示着人类新一代文化的开始。至于这场革命的深刻性广泛性当时并没有人作出具体的预言。因为微电子是一门综合性技术,是与其它学科的发展互为依赖的。那时人们只是从晶体管取代真空管,能以体积小、耗电省、寿命长、成本低而必然取胜来推断将产生一场新的变革。如果就此作为目标的话早在廿年前就已经圆满地实现了。现在我们所说的信息革命以及它给人类社会带来的深远意义,四十年前仅仅是一种理想,今天这一理想竟奇迹般地变成了现实。从点接触的     

与砷化镓材料相依发展的微波半导体器件

本文从微波半导体器件的角度论述了砷化镓材料的重要性.砷化镓材料的发展过程是与微波器件的发展紧密联系在一起的.砷化镓材料每前进一步都导致微波器件性能的突破.文中在回顾了微波半导体器件发展历史的同时,指出砷化镓材料所起的重要作用.列举了砷化镓材料的特点,比较了几种制备方法,并给出了目前砷化镓微波器件研究和生产的现状、参数水平,最后对材料与器件的前景进行了初步估计.     

低噪声GaAs MESFET有源层的Si~+注入

本文叙述了用Si~+注入GaAs形成低噪声MESFET有源层的初步实验结果.获得了峰值载流子浓度为1～2×10(17)cm~(-3)、在交界面处迁移率≥3000cm~2/V·s的有源层,制出了在2GHz下NF为0.9dB、G_a为14.5dB的双栅FET和9.5GHz下NF为2.0dB、G_a为9.5dB的单栅FET.实验结果表明,采用Si~+注入沟道的器件达到了汽相外延器件的最佳性能,某些参数超过了汽相外延器件.     

GaAs质子注入及其在微波器件中的应用

本文报导了用质子注入GaAs形成高阻隔离层的实验研究及其在微波半导体器件方面的应用.并对其隔离机理和隔离层的热稳定性问题作了讨论,指出质子注入GaAs制作隔离层是一项可靠的技术.     

弹性刀杆倒角去毛刺刀

我厂生产的一种零件(图1)要求孔的两端倒角为0.2×45°,无毛刺。原来在车床上需经:(1)倒角;(2)掉头、倒角两道工序,较为复杂。为此,我们设计制造了弹性刀杆倒角去毛刺刀(结构如图2),将它和镗刀一起装在车床刀架上,工件一次装夹,刀具一次