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1.
高压SiC MOSFET研究现状与展望
孙培元
孙立杰
薛哲
佘晓亮
韩若麟
吴宇薇
王来利
张峰
《电子与封装》
2023,(1):115-126
碳化硅(Si C)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为宽禁带半导体单极型功率器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域需求广泛,具有巨大的研究价值。回顾了高压Si C MOSFET器件的发展历程和前沿技术进展,总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构,介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状,对高压Si C MOSFET器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。
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