光子晶体双波长电光调制和模分复用集成器件

为了实现光电子器件小型化和多功能化,进一步提高信息传输容量和速度,提出了一种基于光子晶体双波长电光调制和模分复用的片上集成器件。该集成器件的电光调制模块由硅基光子晶体波导和两个L3型复合腔组成,模分复用模块由硅基非对称平行纳米线波导组成,两个模块的连接处采用硅基光子晶体波导。采用L3型复合腔和PN掺杂结构实现两个波长TE₀模的调制,采用非对称定向耦合结构将两个波长的TE₀模转换为TE₁模。应用基于三维时域有限差分法（3D-Finite Difference Time Domain,3D-FDTD）的Lumerical软件进行仿真分析,结果表明,在调制电压为1.05 V时,该集成器件可以实现中心波长为1 552.1 nm和1 556.1 nm的 TE₀模、TE₁模通断调制及两模式模分复用功能。该器件的消光比高达24.67 dB,调制深度均为0.99,插入损耗小于0.57 dB,信道串扰小于?34.68 dB,调制速率最低为17.54 GHz。该集成器件结构紧凑,可望应用于高速大容量光通信系统。     

基于宽度调制谐振腔的光子晶体电光调制器

针对目前电光调制器插入损耗高的问题,提出了一种基于宽度调制(WM)型谐振腔的光子晶体电光调制器.该器件由输入端纳米线波导、硅基光子晶体波导和WM型谐振腔组成,前二者的连接处采用锥形结构,用于减少2种波导之间的级联损耗.根据时域耦合模理论与等离子体色散效应,采用WM型谐振腔和PN掺杂结构实现对横电(TE)模的调制,并应用...     

地域文化视角下的纪念性景观规划设计研究

纪念性景观作为景观的重要组成部分,已然成为人们精神文明的载体。纪念性景观相较于其他类型的景观具有更深刻的历史积淀和人文内涵。在历史人文气息缺失的今天,纪念性景观显然有其显著的作用,它能唤起人们的回忆和传承历史文脉,因此近年来许多城市纷纷投入到纪念性景观的建设中来。针对当前国内纪念性景观规划设计中地域文化特色丧失的问题,从文化的角度进行思考,挖掘更深层次的景观内涵,让纪念性景观担负起传播地域文化的重要职责。本文以纪念性景观规划设计中的地域文化为主要研究对象,目的在于引起公众对地域文化的重视程度,是塑造具有地方特色的纪念性景观关键所在。