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600伏高压LDMOS的实现 总被引:3,自引:2,他引:1
综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术,充分降低高压LDMOS的表面电场,使用常规低压工艺,最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。 相似文献
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