多声子跃迁高温强耦合近似的判据

本文根据明确的物理图象,对广泛采用的高温强耦合近似的适用范围,提出一个理论判据.通过具体计算,对比准确值和近似计算值,验证了所提出的判据是一个有效的定量的判据.对一些典型实验数据的分析表明,一般的实验情况往往并不适用于高温-强耦合近似.     

多声子无辐射跃迁几率和声子几率因子温度关系的比较

本文利用一个五频模型对多声子无辐射跃迁几率和声子几率因子进行了数值估算.计算表明,对一些有代表性的参数选择,声子几率因子在相当宽的温度范围内能很好地描述跃迁几率的行为.     

短周期(Ge)_n(Si)_n应变超晶格电子结构的自洽赝势计算

在局域密度近似下,用第一原理自洽赝势的方法计算了短周期超晶格(Ge)_1(Si)_1和(Ge)_2(Si)_2的能带结构。结果表明(Ge)_1(Si)_1是间接带,导带最低点在布里渊区的X点。(Ge)_2(Si)_2也是间接带,导带最低点在布里渊区M点附近。给出了禁带宽度及自旋轨道分裂值,并与有关的理论和实验做了比较。     

聚乙炔链中极化子和孤子对形成速率的计算

根据苏肇冰和于渌提出的聚乙炔中极化子及孤子对的形成理论,本文具体计算了注入电子和电子-空穴对通过多声子跃迁形成电子极化子和孤子对的形成速率.我们计算的特点是严格考虑了多电子跃迁中的非正交性问题. 计算结果表明一个注入电子在不小于 4.7 ×10~(-15)秒的时间内弛豫形成电子极化子,很接近Schrieffer等人的计算结果.而电子-空穴对在大于 1×10~(-15)秒的时间内形成孤子对,与有关实验相符. 对光生中性孤子对及带电孤子对的俘获截面的比较表明,生成中性孤子对的跃迁是禁戒的,这与苏、于所讨论的选择定则是一致的.     

考虑非局域势的Si能带的紧束缚计算

在本文的Si能带的紧束缚计算中采用了s、p、d、f对称的类原子高斯轨道、并考虑了晶体赝势的非局域性.以每原子十个高斯轨道为基的紧束缚计算能精确地重复相应的平面波计算的结果.