密封半导体器件内部水汽含量的控制

叙述了器件内部水汽含量的来源和对可靠性的影响,采用控制技术后达到了良好的效果。     

解理法测np~ 外延片外延层厚度

本文叙述用解理法则外延层厚度的工艺及原理。所则得的外延层厚度与穿通二极管的穿通电压对应较好。本文还推荐一种在我们工作中摸索出的新染色剂,此种染色剂(我们称微铬酸染色剂)显示p-n结方便可靠,显示时间的宽容性强,显示的p-n结边缘清晰。     

锌在磷化铟单晶中扩散行为的研究

本文采用 Zn_3P_2作扩散源进行真空闭管扩散,对锌在 InP 单晶中的扩散行为作了研究。通过实验给出了扩散系数与温度的关系,并得到了锌在InP 单晶中的激活能。通过实验发现:在相同扩散温度下表面受主浓度随结深加大而减少。采用空位随时间变化的模型解释了这一实验结果,研究了高阻衬底片 p-n 结显示时出现双线的问题。