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在高溅射功率900W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630-780nm的e-Ti-N薄膜。结果表明:当膜成分(原子分数,%,下同)在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内,薄膜由α′和Ti2N沉淀组成,磁化强度4πMs超过纯铁,最高可达2.38T;而矫顽力Hc下降为89A/m,可以满足针对1.55Gb/cm^2高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要,N原子进入α-Fe使α′具有高饱和磁化强度;Ti的加入,阻止α′→α γ′的分解,稳定了强铁磁性相α′,是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因。由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度Hc^D与晶粒度D有以下关系:Hc^D∝D^6,晶粒度控制非常重要。N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化。提高溅射功率也使晶粒度下降。两者共同作用,能使晶粒度下降到约14nm,使Hc下降。晶界是择优沉淀地点,在α′晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用,阻止晶界迁移,使纳米晶α′不能长大。薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃。 相似文献
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本文用磁控溅射法制备了一系列不同厚度Fe层的FePt/Fe多层膜,经过热处理后成功地制备出具有fct结构的FePt有序相和exchange-spring型永磁体.研究了不同热处理条件下多种膜层厚度与FePt/Fe多层膜结构、磁性及其内在关系,并探讨了FePt/Fe多层膜铁中的磁耦合失效问题.观察了不同热处理条件和层厚的FePt/Fe多层膜的结构变化过程,包括结构相变、有序度和晶粒度.研究了其磁性能随结构变化的规律,发现了耦合失效的模式. 相似文献
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采用磁控溅射法在自然氧化的单晶Si(100)基底上制备了(FePL/Ag)10多层薄膜,并在10kA/m磁场中进行了不同温度的真空热处理,研究了磁场作用下,不同热处理温度对FePt薄膜有序化转变及磁性能的影响。X射线衍射研究表明,在磁场作用下通过多层膜设计可以比较容易获得垂直生长的易磁化轴;选择适当的热处理温度、降低多层膜中每层膜厚可以制备出晶粒尺寸细小均匀的FePL/Ag垂直磁化薄膜,适用于高密度垂直磁记录介质材料。 相似文献
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含杂质碳氮薄膜的X射线衍射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
自从Niu等首次获得接近β-C3N4的电子衍射谱以来,许多研究小组都报道说已制备出β-C3N4微晶。但在本实验中发现,当含有铁等杂质时,碳膜和碳氢膜的X射线衍射谱中都出现几条与β-C3N4的理论计算相近的谱线。这提示在β-C3N4的研究中,需要排除杂质的影响,制备出纯净的样品,以便得出明确可靠的结论。 相似文献
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研究了用RF溅射法制备的Fe-N薄膜经过250℃磁场热处理后高频磁导率的变化情况。实验结果发现,在优化生长条件下生长的Fe-N薄膜样品,在1-10MHz的频率范围内,易磁化方向的高频磁导率较小,但其难磁化方向的相对磁导率可以高达1500,并且基本恒定,说明这种Fe-N薄膜已能满足作为高密度存储写入头材料的要求。 相似文献
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通过溶胶–凝胶热分解法制备了Sr2MgMoO6–δ(SMMO)阳极粉体。对粉体的物相和微观组织进行分析,研究了SMMO的烧结活性及烧结后在不同气氛中的电导率。结果表明:1450℃烧结12h后,SMMO形成完整的双钙钛矿相;100MPa压力下的SMMO形成致密的陶瓷块体。能谱分析显示实验组分的摩尔比与理论值吻合。SMMO在空气气氛中的电导率较低,800℃的电导率为1.3×10–3S/cm,导电活化能为136.4kJ/mol;在H2气氛中的电导率大大增强,800?C的电导率为0.41S/cm,导电活化能降低到12kJ/mol,表现出很好的导电性。 相似文献
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MPCVD合成β—C3N4晶态薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),以N2,CH4作为反应气体合成碳氢膜。通过控制反应温度,气体流量,微波功率,反应气压等工艺条件在Si和Pt基片上,进行β-C3N4晶态薄膜的合成研究。扫描电镜下观察到生长在Si基底上的薄膜晶有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜下观察到在Pg基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。 相似文献