GaAs Mach－Zehnder型光波导开关／调制器

采用非对称Ｘ结耦合器代替传统的Ｙ分支器，研制了ＧａＡｓＭａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ型２×２光开光，得到了小于－２２．４ｄＢ的串音比和１２Ｖ左右的开关电压，器件的波导传输损耗小于７ｄＢ／ｃｍ。预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ开关列阵及高速光调制等领域。     

一种求解QoS路由算法的数学模型研究

QoS路由算法的基本问题是在满足多个约束条件的基础上对某个或多个网络参数进行优化。在文献犤9犦提出的适应QoS路由机制的网络模型基础上,利用数学规划,提出了一种QoS路由算法的新的数学模型,并采用改进的拉格朗日松弛算法求解模型。此模型既可用于寻找满足约束条件的QoS路由,又便于扩充新的网络QoS要求。     

几何光学中线段正负值的判断及其应用

以平面—凸面镜、平面镜—凹面和凸透镜—平面镜结构等光学系统为实例进行分析,总结归纳出判断几何光学线段正负的有效方法,以致快速正确的解决几何光学实际问题,同时为光学课程教学提供指导。     

基于Visual Basic与RS232串行通信的温度监测系统

在VB的通信控件Mscomm属性设置和事件响应的基础上,在WindowsXP的环境下,利用通信控件实现与单片机串行通信,把单片机采集的温度上传到PC机,同时利用Visual Basic图片框控件PictureBox显示出来,达到对温度的实时监测的目的.     

垂直上升内螺纹管中超超临界压力水的传热特性研究

在P=25～35MPa、G=450～1800kg/(m2·s)、q=200～600kw/m2的试验参数范围内,研究了(φ)28.6×5.8mm垂直上升内螺纹管内水的传热特性及管壁温分布.试验结果表明:在超临界及超超临界压力区,垂直上升内螺纹管对水的传热在拟临界点前后不同,在低焓区管壁温度随焓增平缓增加,管壁温度在临界焓值区存在跃升;质量流速的提高可强化传热、推迟壁温跃升,但热负荷的增加有相反的作用.文中还给出了超超临界压力区适用于不同焓值范围的换热系数试验关联式.     

液晶型圆偏振调制器

设计了一种液晶（LC）型光圆偏振调制器（CPM）,利用LC材料的电控双折射特性得到出射光的2种圆偏振态。对器件的工作原理进行了详细的说明,进而对器件的特性进行了测试和分析。该LC型光CPM具有小于10V的低驱动电压、ms量级的响应速度和体积小的特点。测试结果表明,该光CPM输出光圆偏振度高达98．8％。     

V型纵槽对水平螺旋管外冷凝传热的强化

用实验方法研究水平螺旋管管外有纵向 V型槽时凝结换热的强化问题。在相同真空度下 ,测试当 V型槽的角度或数目变化时管外凝结换热系数随冷却水流量变化的规律。实验结果表明 ,V型槽夹角为 6 0°,槽深为 1mm,槽数为 2 8时强化效果最佳。还在相同实验条件下 ,比较 V型槽水平螺旋管与矩形槽水平螺旋管及水平螺旋光管的传热效果 ,得到可用于工程实际的 V型槽水平螺旋管外冷凝传热的试验关联式     

基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

研究了基于绝缘材料上的硅（SOI）材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度（RMS）有3nm的改善，达到7.27nm（采样面积6.2μm×26μm）．通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm．测试结果表明器件实现了分波功能．     

具有特效导波模式的左手材料波导设计

通过转移矩阵方法理论,研究含左手材料平板波导导波模式与表面波的特性,结果表明:在TE极化情况下,当包裹层为金属-芯层为左手材料的三层平板波导满足波导导行条件时,导波层能承载新功能的导波模式,即不存在TE0模;在特殊条件下存在TE1模,而且这导波模式与电磁波频率、材料的介电常数和磁导率密切相关;当不满足波导导行条件时,三层平板波导的三个区域出现不同指数规律衰减的表面波,当导波系数与导波层厚度的乘积为2.1π时,不同模式的表面波将趋向一致.模系数m的奇偶性对导波模式和表面波的能流分布有着显著的影响.利用包裹层为金属-芯层为左手材料三层平板波导的导波模式、表面波和能流分布的奇异特性,可以实现特效导波模式的波导器件,为波导实际设计和应用提供了理论参考.     

掺杂位置对基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器的消光比的影响

在基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器中,载流子吸收会极大的影响器件的消光比。并且,不同的掺杂位置会引起注入的载流子的分布不一样,从而导致不同的消光比。从实验上研究了这一现象,实验中的器件采用0.18 μm CMOS工艺制作在SOI材料上。实验表明,掺杂位置离脊波导的边沿0.5 μm左右时,器件会获得最佳的消光比。