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1.
用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量.结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%.这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能.同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.  相似文献   
2.
利用偶氮液晶基元4-丁氧基-4’-(ω-羟基己氧基)-偶氮苯(简称C4)与过渡金属钯(Ⅱ)发生螯和反应得到一种新型有机金属液晶(简称PdC4),并利用红外光谱(IR),紫外吸收光谱(UV),核磁共振(^1HNMR)和元素分析(EA)对其进行了结构表征,又利用偏光显微镜(PoM)和差式扫描量热法(DSC)对其液晶相行为进行了研究,确定了其液晶区间为K132N190I188N130K,发现其熔点和清亮点均高于液晶基元,同时液晶区间也宽于液晶基元的区间。  相似文献   
3.
季刚  张云鹏  颜世申  梅良模  张泽 《金属学报》2008,44(11):1399-1403
利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn 1-x Co x O 1-δ 进行了微观表征.证明了氧含量是决定Zn 1-x Co x O 1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素. 在缺氧环境下, 薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn 1-x Co x O 1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成, 两相对薄膜宏观磁性均有贡献; 在富氧的环境下, 非晶Zn-Co-O相消失, 出现了CoO反铁磁相, 纤锌矿结构Zn 1-x Co x O 1-δ中的氧缺位大量减少, 晶粒长大到10-20 nm, 室温铁磁性逐渐减弱, 直至消失.  相似文献   
4.
研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.  相似文献   
5.
研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.  相似文献   
6.
利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn1-xCoxO1-δ进行了微观表征,证明了氧含量是决定Zn1-xCoxO1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素.在缺氧环境下,薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn1-xCoxO1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成,两相对薄膜宏观磁性均有贡献;在富氧的环境下,非晶Zn-Co-O相消失,出现了CoO反铁磁相,纤锌矿结构Zn1-xCoxO1-δ中的氧缺位大量减少,晶粒长大到10-20 nm,室温铁磁性逐渐减弱,直至消失.  相似文献   
7.
研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱.退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系.  相似文献   
8.
无机层状纳米功能材料是一类具有特殊结构和性能的新型无机二维纳米材料,它是由层状双金属氢氧化物通过插层反应得到的一类新型功能材料,其层板化学组成和尺寸可根据需要进行调整并且可以进行组装,具有广阔的应用前景.综述了无机层状纳米功能材料的研究与应用现状.  相似文献   
9.
Co-Nb-Cr磁性多层膜由高频溅射方法制得,由振动样品磁强计测量样品的磁性能。在2.67Pa溅射氩气压下,发现样品随Cf层厚度增加,铁磁层间出现铁磁性和反铁磁性的耦合振荡,饱和磁化强度Ms基本保持不变,而在0.67Pa溅射氩气压下,样品的饱和磁化强度Ms发生了振荡,这可能与春铁磁层中顺磁分量振荡变化有关。  相似文献   
10.
开发高效、经济的析氧反应(OER)和析氢反应(HER)电催化剂,在绿色和清洁氢能方面具有广阔的应用前景.本工作中,我们在泡沫镍负载的多层次多孔Ni Zn金属间化合物/Ni异质结上原位构筑Ni Fe Zn氢氧化物纳米片阵列(Ni Fe Zn-OH/Ni Zn-Ni/NF)用作高效的OER和HER电催化剂.首先,在泡沫镍表面构筑一层双峰多孔Ni Zn金属间化合物/Ni,获得最大程度的催化位点暴露,然后与Fe Cl3氧化还原反应生长牢固的Ni Fe Zn-OH纳米片阵列.由于Zn掺杂、多界面工程以及三维一体化导电骨架的协同效应, Ni Fe Zn-OH/Ni Zn-Ni/NF对于OER和HER显示出低的过电势,在电流密度为5 0/6 0 0 m A c m-2时分别约为235/284 m V和73/212 m V,其Tafel斜率分别为46.1和41.1 m V dec-1,在碱性介质中显示出高的催化耐久性.作为双功能催化剂, Ni Fe Zn-OH/Ni Zn-Ni/NF在全水分解中达到20 m A cm-2  相似文献   
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