GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.     

一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法

MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题.实验对比发现,MOSFET沟道电流的1/f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中ESD潜在损伤的情况.在相同的静电应力条件下,1/f噪声的变化要比常规电参数敏感的多,其功率谱幅度的相对变化量比跨导的最大相对退化量大6倍以上,因此可以作为 MOSFET ESD潜在损伤的一种敏感的检测方法.在给出实验结果的同时,对这一敏感性的机理进行了较深入的分析.     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下，测量了光电耦合器件的g-r（产生-复合）噪声．实验结果表明，随着偏置电流的增加，g-r噪声逐渐向高频移动，其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律．通过测量前级噪声和后级噪声，发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管．基于载流子数涨落机制，建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型．实验结果和本文模型符合良好．     

基于小波分析和虚拟仪器技术的1/f噪声研究

传统基于傅立叶分析和频谱分析仪的微弱信号检测方法无法对1／f噪声进行实时、高速、精确的测量与分析。本文在以虚拟仪器为平台。内嵌小波分析的低频噪声检测系统基础上对1／f噪声进行了实验和理论研究。实验结果表明,该系统能够检测到的1／f噪声幅值比传统的测试方法低2个数量,以小波理论构建的两个参量更深入细微地表征了1／f噪声特性：模极大值分布能够鉴别不同类型的1／f噪声产生机构,相似系数可描述应力对器件1／f噪声的影响。     

栅氧化层击穿的统一逾渗模型

综合E模型和1/E模型中两种不同的缺陷产生机制和逾渗理论,建立了栅氧化层击穿过程中缺陷产生和击穿触发的统一逾渗模型. 该模型认为栅氧化层的击穿触发是由于氧化层中氧空位等缺陷所形成的定域态扩展化的结果,并对氧空位等缺陷的产生动力学进行了统一的描述,使得该模型无论在高场强还是低场强情况下所得的结果,均能较好地描述氧化层击穿过程,从而对长期以来有关栅氧化层击穿的E模型和1/E模型之争做出了较为合理的解释.     

1/f噪声检测MOSFET静电潜在损伤的理论基础

分析了MOSFET静电损伤的机理，发现在静电应力期间，随着应力次数的增加，在SiO2体内的Si/SiO2界面同时产生潜在损伤积累。Si/SiO2界面较SiO2层体内更容易产生缺陷，而且缺陷浓度更大，用逾渗理论模拟了MOSFET中1/?噪声与边界陷阱浓度的关系，提出了与实验相一致的定性结果，为MOSFET静电潜在损伤的沟通漏源电流1/?噪声检测方法提供了理论依据。     

一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法

MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题.实验对比发现,MOSFET沟道电流的1/f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中ESD潜在损伤的情况.在相同的静电应力条件下,1/f噪声的变化要比常规电参数敏感的多,其功率谱幅度的相对变化量比跨导的最大相对退化量大6倍以上,因此可以作为 MOSFET ESD潜在损伤的一种敏感的检测方法.在给出实验结果的同时,对这一敏感性的机理进行了较深入的分析.     

GaAlAs血红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题。对GaAlAs红外发光二极管（IRLED）功率老化前后低频噪声的测量发现，1／f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比（小电流区γ≈1，在大电流区γ≈2），且老化后1／f噪声幅值比老化前增大2个数量级。基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAs IR LED的1／f噪声模型，分析结果表明GaAlAs IR LED的1／f噪声在小电流时反映体陷阱特征，大电流时反映激活区陷阱特征，l／f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱，1／f噪声可以用来检测GaAlAs IR LEDs的潜在缺陷/     

一种碳化硅外延层质量评估新技术

由于当前多种技术同时被用于碳化硅(SiC)外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等对4H-SiC外延层质量进行了测试.测试结果的分析和比较表明,红外镜面反射谱不但能提供拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等测试的所有质量参数,而且其解析结果与其他几种技术的解析结果一致.因此,红外镜面反射谱可以作为一种低成本、快捷、无损、可在线的碳化硅外延层质量监测技术.