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1.
对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80~4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm~(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.
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2.
硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅中载流子浓度,作者则采用在500~3500cm~(-1)红外波段内测量的吸收系数α,得到了载流子浓度N。
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