大功率GaN芯片封装的设计与热分析

文中以硅铝合金为封装材料,分别采用AlN,Al_2O_3,聚四氟乙烯作为芯片基板,设计出一种适用于大功率GaN芯片的封装模型。利用ANSYS软件,模拟模型中GaN芯片在循环温度-55～125℃条件下的热应力分布情况。研究结果表明,以聚四氟乙烯为基板的模型芯片所受应力最大,Al_2O_3次之,AlN最小。研究结果对新型航空航天器件中大功率芯片封装设计提供了参考依据。     

集成电路成品测试的常见问题分析

随着集成电路产业的快速发展,芯片特征尺寸不断缩小,其集成度与复杂度却越来越高,这使得集成电路测试的重要性不断上升。成品测试作为集成电路生产过程中的最后一步,其针对芯片电性能的测试也是最全面的。为了保证芯片在极端环境下仍可使用,一般在成品测试中会对芯片进行常温（25℃）、低温（-55℃）和高温（125℃）测试,其目的是剔除不良品。除了电性能不良造成的电路失效,还有因测试硬件老化或损坏、测试方法不当以及温度差异造成的假性失效。通过分析测试异常发生的原因,发现优化测试插座的选型和测试板的设计以及优化测试程序的设置可以减少测试异常,这些方法对提高测试准确性有一定帮助。     

基于变焦显微测量技术的键合金丝参数测量

欧美国家在半导体行业一直以来对我国实行技术封锁政策,我国许多关键技术和设备只能依靠进口,其中就包括键合金丝参数测量设备。键合金丝参数测量设备主要用于自动检测键合金丝的拱高和跨度等参数。由于键合金丝的回波损耗、驻波等微波传输特性与键合金丝的拱高、跨度等参数呈对应关系,因此可以通过测量相关参数的方法来检测键合金丝的微波传输特性是否合格。通过这一方法可以解决人工测量导致的速率低下的问题,提高键合质量检测效率,降低检测成本。本文基于变焦显微测量技术实现了键合金丝参数的测量。该方法通过自主设计的图像采集平台,获取到键合金丝的一组图像,然后进行聚焦区域提取,从而实现键合金丝的三维重建及参数测量。该方法对键合金丝拱高的测量精度<0.01 mm,相对误差<1.5%,对键合金丝跨度的测量精度<0.005 mm,相对误差<0.7%,可以满足自动检测键合金丝参数的设计需求。     

GaN固态功放功率均衡技术研究北大核心CSCD

氮化镓(GaN)固态功放已在现代雷达中广泛应用。为了保证某S波段GaN固态功放的全频带、全温度范围技术指标,文中采用频带功率均衡、端口功率均衡、温度功率均衡等功率均衡技术,优化了频带、端口、工作温度范围内的功率起伏特性,使功放组件的可靠性得以提升,指标达到一流水平,对提高固态雷达发射机的技术水平具有重要意义。