LiNdP4O12晶体的生长缺陷

报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷。本除对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述外，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽。最后分析了这些缺陷的成因和克服办法。     

六镜环形腔Ce∶Nd∶YAG倍频稳频激光器

使用六镜环形腔的YAG倍频稳频激光器,在输入功率为2kW时获得500mW的单频倍频光,频率稳定性优于10MHz,功率波动小于7％。     

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

研究ＫＴｉＯＡｓＯ₄晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义．本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓＯ_４晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示ＫＴＡ晶体的表面缺陷效果显著,ＫＴＡ晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物．讨论了这些缺陷形成的原因。     

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

研究ＫＴｉＯＡｓＯ４的生长缺陷,对于改善它的性质和应用前景有很大的意义,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓ析缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对ＫＴＡ晶体的表面缺陷效果显著,ＫＴＡ晶体中主要的缺陷有铁电畴生产层,形界,位错和包裹物,了这些缺陷形成的原因。     

Cr：KTiOPO4晶体缺陷的研究

首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到（100）面和（021）面的位错蚀坑以及（021）面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出（001）面、（010）面和（100）面形貌面,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。     

KTiOPO_4晶体中Cr离子的光谱特性

通过实验测得ＫＴｉＯＰＯ４：Ｃｒ晶体的室温吸收谱、激发谱，室温和液氮温度下激光诱导荧光谱及各发射带的荧光寿命，进而计算得到了Ｃｒ离子的晶场参数、吸收截面、发射截面及量子效率。结果表明Ｃｒ离子受晶场的影响较弱，但具有较强的电子－声子耦合。室温下较大的无辐射跃迁几率导致了较低的量子效率。实验上没有观察到四配位Ｃｒ离子的光谱特征。最后，对上述结果结合Ｃｒ离子配位情况进行了讨论。     

LiNdP4O12晶体的生长缺陷

LiNdP4O12(LNP）晶体是一种新型的激光材料。本报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。     

KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究

研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。     

双轴晶体KTP光参量振荡器

本文给出了角度调谐KTP光参量振荡器(OPO)的实验结果。采用调QNd:YAG激光器的二次谐波(0.532μm)作为OPO的泵浦源。测到的最大输出能量为19.5mJ,相应的能量转换效率大子19％。调谐范围为0.96～1.2μm。     

KTP单共振光学参量振荡器

本文报道Nd:YAG激光器的二次谐波泵浦的KTP光学参量振荡器的实验结果。实验获得了1.46～1.78μm的单共振参量振荡输出。最高输出能量达15mJ/脉冲,最高量子转换效率为14％。