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基于自隔离技术的可集成SOI高压功率器件新结构 总被引:1,自引:1,他引:0
SOI功率器件的高耐压和高、低压间良好的隔离效果是SOI高压功率集成电路(SOI HVIC)的两项关键技术。本文提出在埋氧层(buried oxide layer,BOX)上表面处埋N岛 (buried n-islands,BNI) 的SOI LDMOS高压功率器件新结构,该结构采用自隔离技术使SOI HPIC中高压功率器件与低压控制电路单元之间达到理想的隔离效果。此外,N岛中的施主离子和位于耗尽N岛间的空穴使BOX层的电场强度从32V/μm增加到113V/μm,同时对漂移区表面电场分布进行调制,最终使器件击穿电压(BV)显著提高。实验测得一个BNI SOI LDMOS样品的耐压为673V,并在SOI HVPIC中表现出良好的隔离特性。 相似文献
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A new SOI LDMOS structure with buried n-islands(BNIs) on the top interface of the buried oxide(BOX) is presented in a p-SOI high voltage integrated circuits(p-SOI HVICs),which exhibits good self-isolation performance between the power device and low-voltage control circuits.Furthermore,both the donor ions of BNIs and holes collected between depleted n-islands not only enhance the electric field in BOX from 32 to 113 V/μm,but also modulate the lateral electric field distribution,resulting in an improvemen... 相似文献
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