用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性

本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。     

GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究

作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在实验样品具有一定曲率半径(在本实验条件下10—30米)的情况下,用X射线双晶形貌法摄取了这种干涉条纹相,并对弯曲外延片的成相几何进行了分析;通过测量貌相图上干涉条纹的振荡周期,计算出了外延片的曲率半径.