一种快速瞬态响应的无片外电容型LDO

设计了一种快速瞬态响应的无片外电容型LDO。采用高增益高带宽的超级跨导结构(STC)的误差放大器,利用动态偏置技术与电容耦合技术,极大地增强了摆率。引入额外的快速响应环路,进一步提升了瞬态响应速度。基于0.18 μm CMOS工艺进行设计。结果表明,该LDO的最低供电电压为1 V,漏失电压仅为200 mV,可提供最大100 mA的负载电流,能在最大输出电容为100 pF、最低负载为50 μA的条件下保证电路稳定。负载电流在0.5 μs内由50 μA跳变至100 mA时,LDO输出导致的过冲电压和下冲电压分别为200 mV和306 mV。     

一种具有快速瞬态响应的片上LDO

提出了一种全负载范围内具有较高增益和带宽的片上快速瞬态响应的低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器采用带瞬态增强的高跨导、高摆率、高输出阻抗STCB结构。推挽式微分器兼具频率补偿和快速瞬态响应功能,在大幅提升LDO瞬态响应速度的同时,节省了补偿电容面积。增加了自适应偏置,缓解了重载下增益和带宽下降的问题。该LDO基于0.5 μm标准CMOS工艺进行设计,芯片面积为0.077 mm²。结果表明,在负载电容为100 pF、压差为100 mV的条件下,该LDO可稳定输出50 μA ~100 mA的负载电流。负载在0.5 μs内以最大电流范围切换时,输出电压变化峰值在300 mV以内。     

1,6-二氢-4-甲基-6-氧代-3-吡啶磺酰氯的合成工艺研究

1,6-二氢-4-甲基-6-氧代-3-吡啶磺酰氯是一种重要医药化工中间体。本文以4-甲基-5-硝基吡啶-2-醇为原料,经两步反应得到目标化合物。该合成方法操作简便、后处理操作简便,花费时间少且产物纯度高,产品收率为33.51%;此方法为1,6-二氢-4-甲基-6-氧代-3-吡啶磺酰氯的合成提供了合成路线,也为进一步相关类似的合成研究奠定基础。     

宽负载应用的自适应关断时间Boost电路

设计了一种新型自适应关断时间(AFT)模式Boost电路。不同于传统的采样输入/输出电压的自适应电路,该AFT模式Boost电路直接采用真实的占空比信息,设置了自适应比较点,解决了开关频率受负载电流影响的问题。基于0.5 μm CMOS工艺对电路进行仿真验证。结果表明,当输入电压在2.4~4.2 V、负载电流在0.3~1.2 A范围内变化时,该AFT模式Boost电路的工作频率稳定在967~972 kHz之间,频率变化范围仅为传统自适应电路的14.3%。