信息技术教育要重视对学生信息意识的培养

面对世界教育信息化发展的挑战,我国政府提出在中小学大力发展信息技术教育。目标是通过提高学生的信息素养,推进信息技术与其他学科的整合,帮助学生有效地利用信息技术提高学习效果,使学生具有获取信息、传输信息、处理信息和应用信息的能力,进而使学生能有效利用信息技术作为支持其他学科和终身学习的工具。     

从第三届中国手机制造技术论坛看我国移动通信的现状及其发展趋势

2006年10月,第三届中国手机制造技术论坛在深圳召开,会议就中国手机制造业发展趋势与3G战略作了探讨。中国工程院副院长邬贺铨院士作了“中国移动通信的战略地位与发展趋势”的重要报告。1我国移动通信业务发展现状2006年是移动通信市场高速发展的一年。移动通信部分替代固定网络通信、数据业务替代单纯语音业务已成为不可逆转的趋势。下面从几个方面对移动通信的现状作一些介绍。(1)移动通信业的收入按信息产业部公布的数据,2005年国家电信业务收入中,移动通信业务占45.2%,若加上数字通信及长途通信中移动通信的份额,移动通信业务收入占全…     

索氏提取-HPLC-ELSD法检测银杏叶片中萜类内酯的含量

建立一种基于索氏提取的绿色样品前处理技术,采用HPLC-ELSD法测定银杏叶片中总萜类内酯的含量.结果表明,银杏内酯A、B、C和白果内酯均有良好的线性范围,回收率均大于98%,检测量在52~108 ng之间,且方法具有较好的精密度、稳定性和重复性.辅料无干扰.本方法可有效用于银杏叶片中萜类内酯的提取与测定.     

6H-SiC高压肖特基势垒二极管

在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性,结果表明,肖特基二极管具有较好的整流特性：反向击穿电压约为450V,室温下,反向电压VR=-200V时,反向漏电流JL=5×10-4A*cm-2;理想因子为1.09,肖特基势垒高度为1.24—1.26eV,开启电压约为0.8V．     

信息技术教育要重视对学生信息意识的培养

面对世界教育信息化发展的挑战,我国政府提出在中小学大力发展信息技术教育。目标是通过提高学生的信息素养,推进信息技术与其他学科的整合,帮助学生有效地利用信息技术提高学习效果,使学生具有获取信息、传输     

少腹逐瘀颗粒治疗药流后子宫出血及宫内残留48例体会

目的 观察少腹逐瘀颗柱治疗药流后子宫出血的疗效.方法 48例门诊药流术后患者,给予少腹逐瘀颗粒,2次/d,7d/疗程.结果 治愈28例,显效10例,好转6例,无效4例,总有效率91.6%.结论 少腹逐瘀颗粒治疗药流后子宫出血,可减轻宫率及宫内感染,值得推广.     

耗尽型选择性掺杂异质结晶体管

设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm2/vs,二维薄层电子浓度ns=91011cm2。在77K时n=75000cm2/vs。测量了具有栅长1.21.5m,栅宽2180m耗尽型异质结器件的直流特性和器件的跨导,室温下gm=110～130ms/mm,而低温77K时,可达到200ms/mm。     

6H-SiC高压肖特基势垒二极管

在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .8V     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED