THE STUDY OF Si(100)AND(111)SURFACES AND Ni MOLECULAR BEAM EPITAXY ON THEM BY RHEED

Clean Si(100)and(111)surfaces produced by the Ar~+ ion bombardment and high temperatureanealing techniques,and the epitaxial growth of Ni on them at room temperatue using molecular beammethod are studied by reflection high energy electron diffraction(RHEED).On the basis of experimentresults,Si(111)7×7 and its negative zone RHEED pattern,Si(100)2×1,Si(111)19~(1/2)×19~(1/2)Ni and Si(100)4×2Ni structures have been obtained,and the lattice structure of nickel silicides produced by epitaxy withlow growth rate(0.15-0.5per min)is the same as that of silicon substrate.     

摄象管阴栅系统的传热计算和一种小功率阴极支撑体的设计

本文介绍了一种摄象管阴栅系统的传热计算模型,对5种不同结构、不同功率的阴栅系统进行了电子计算机计算。通过计算得出了各处的温度、各相关部件间的热交换情况和系统的总耗散功率以及各参量对它们的影响。这些对设计阴栅系统有一定的指导意义。文中还给出了一种低功率(0.6W)钡镍阴极阴栅系统的设计。它具有牢固可靠、易于装配、速热(数秒可达工作温度)等优点。     

镍硅化物生成的TEM原位研究

蒸涂法获得的Si-Ni界面在室温到800℃下热处理,并用透射式电子显微镜对它进行原位研究。在化学清洗的洁净的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。实验表明,在真空度为110-6mmHg,温度为650℃时,化学清洗的Si表面上生成了SiC;各种镍硅化物的出现不是在某一确定温度;在Si(111)面上外延生长镍硅化物比在(100)面上容易。     

Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究

以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。