STM研究Si(111)7×7表面畴界结构

根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。     

p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究

采用扫描隧道显微镜（STM）在p-nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨（HOPG）衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入,得到了一个信息点点径小于1nm,对应存储密度高达10^13 bit/cm^2的信息存储点阵,电流－电压（I－V）曲线表明,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区,而信息点存储区域是导电区,具有0－1信息存储特性,PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变,从而实现信息点的写入。     

钨丝上原位加热生长的WO3-x纳米棒的结构与缺陷研究

WO3-x(x：0～1)是一种优良的光、电、气致色变半导体材料。本研究通过在电化学腐蚀的钨丝针尖上原位加热生长了一系列的样品，发现了一种新奇的WO3-x结构，电子衍射和高分辨研究证明其是一种非常有序的晶体丝织构行为。图1是生长WO3-x纳米棒特征的SEM图像，钨针尖上布满了垂直表面二     

C_(60)-有机聚合物薄膜的结构

本文讨论了用高真空系统制备的C_(60)－聚已烯薄膜，用透射电子显微镜（TEM）分析了所制备的样品，发现它是单晶薄膜，其晶格结构为面心立方，晶格常数为1．454nm。     

将LB薄膜应用于集成器件中

本文介绍了LB膜的发展历史和现状,简介了LB膜在光、电器件以及在集成器件中的应用。对LB膜的制备方法和与LB膜特性有关的结构做了阐述。     

聚乙烯晶态薄膜表面结构的研究

用离子团束－飞行时间质谱（ICB－TOFMS）系统制备了聚乙烯（PE）晶态薄膜。用透射电子显微镜（TEM）分析了样品结构，得到了结晶完善的晶片和（010）面的晶格结构条纹像。用扫描隧道显微镜（STM）分析了这种样品的表面结构，观察到了PE（001）和（010）面的表面形貌。     

用STM第一次观察到聚乙烯晶片的折迭链结构

通常人们认为聚乙烯薄膜是绝缘体,聚乙烯晶片的表面形貌是分子链的折迭部分,多是无规排列的,不能用扫描隧道显微镜(STM)研究聚乙烯薄膜的表面形貌。我们研究了聚乙烯薄膜的电学特性和结构特性,极薄的聚乙烯晶片在强电场下,有nA级的传导电流,因此可以用STM分析聚乙烯晶片的表面形貌。我们用STM首次观察到了聚乙烯晶片表面折迭链的周期结构。     

轴向应变导致柔性电路的裂化研究

本文研究了在柔性塑料衬底上的均匀的无定形si和siN。薄膜的裂化规律。结果表明，在单轴向拉力应变下，虽然衬底仍保持完整，但是半导体薄膜破裂为直的并行的阵列。当应变大于一个临界值后，裂纹的密度成线性增长。用原子力显微镜对裂纹的宽度和深度进行了表征和分析。     

利用扫描隧道显微镜研究腈基-苯基-脲聚合物膜的表面结构

本文利用大气中扫描隧道显微镜对新型有机功能材料腈基－苯基－脲（ＣＰＵ）的聚合物（ＰＣＰＵ）薄膜进行了研究。在高定向裂解石墨基底上由溶液成膜制备ＣＰＵ聚合物薄膜样品，在４２×４２扫描范围内获得了ＰＣＰＵ表面结构的ＳＴＭ图像，发现５—８个ＣＰＵ分子聚合在一起形成ＰＣＰＵ分子链。本文给出了ＰＣＰＵ分子链结构模型，并对所观察到的ＳＴＭ图像给予了解释。