探讨继电器线圈绕制工艺

继电器线圈质量十分重要,线圈匝间短路后果是不可设想的,故其绕制工艺相当重要,要想法解决。     

运用轻便动力触探仪研究黄土的岩土工程特性

运用可变能量轻便动力触探仪对黄土在天然状态及饱和状态下进行了一系列现场触探试验,并结合该仪器开展了黄土天然状态下及饱和状态下的静力分级加载载荷试验。在这些试验所获结果基础上,分析了黄土的岩土力学性质,尤其是黄土的湿陷性。对比用其它手段测得的湿陷参数,提出了一种运用触探仪现场测试黄土的力学强度,进而运用所测的力学强度对黄土的湿陷性进行间接评价的简单方法。     

简述影响继电器接触电阻的因素

对继电器接触电阻的影响因素有着众多的可能因素,但是最为主要和突出的因素包括：触点材质、触点接触压力、触点形状和接触形式等。     

彩色图像的W-SVD数字水印技术

水印图像经过幻方置乱和加密后采用W-SVD模板嵌入,利用人类视觉系统HVS的特性,实现了水印的自适应嵌入;改进了基于小波变换与加密的彩色水印算法。根据标准相关光谱亮度功效函数确定嵌入R、G、B子图像中的比例系数,水印的提取需要原始图像的参与,并受到密钥的限制,不知道原始图像和密钥的人无法正确地恢复数字水印,最后对该算法进行了一些基本的图像处理操作。实验表明所提出的方法具有更好的鲁棒性、不可见性和安全性。     

LDD注入工艺对40 nm 中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化

基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化。分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响。测试结果表明,两种措施均对器件的衬底电流、关态泄漏电流产生较好效果。利用TCAD工具,模拟了LDD注入工艺的优化对掺杂形貌、电场分布和碰撞电离强度的影响。分析了HCI-GIDL效应得以优化的物理机制。     

继电器线圈绕制工艺探讨

文章剖析了继电器线圈发生的匝间短路现象及其严重后果;提出了相应的解决问题的办法;分析了线圈常采用的引出方法;对一体化设计的继电器线圈绕制方法提出了自己的见解。     

Hilbert—Huang变换在谱分析中的应用

本文对Hilbert—Huang变换（Hilbert-Huang Transform）理论做了仿真研究，并通过仿真实验对非平稳信号作经验模式分解（Empirical Mode Decomposition），得到它的固有模态函数（Intrinsic　Mode　Function）分量；对各个分量作Hilbert变换，得到瞬时频率，并构造希尔伯特谱-时间-频率的时频分布图。通过与短时傅立叶变换（Short　Time　Fourier　Transform）、小波变换（Ｗavelet　Tramform的分析比较，Hilbert—Huang变换方法更能反应原始数据的固有特性，有更好的时频聚集性，更适用于对突变信号和非平稳信号的处理。     

Hilbert-Huang变换在谱分析中的应用

本文对Hilbert-Huang变换(Hilbert-Huang Transform)理论做了仿真研究,并通过仿真实验对非平稳信号作经验模式分解(Empirical Mode Decomposition),得到它的固有模态函数(Intrinsic Mode Function)分量;对各个分量作Hilbert变换,得到瞬时频率,并构造希尔伯特谱-时间-频率的时频分布图。通过与短时傅立叶变换(Short Time Fourier Transform)、小波变换(Wavelet Transform)的分析比较,Hilbert-Huang变换方法更能反应原始数据的固有特性,有更好的时频聚集性,更适用于对突变信号和非平稳信号的处理。