PTC钛酸钡半导体陶瓷的金属化

本文介绍了目前在PTC钛酸钡半导体上形成低电阻欧姆接触的主要的金属化方法,包括化学镀镍、烧附银电极、In-Ga液体合金和铟基合金电极、真空蒸着Al、Ni后激光熔融以及各种铝电极等.文中简述了这些电极的制备工艺和金属化性能,并作了比较.     

烧结助剂对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响

研究了ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促进烧结,大幅度降低BiNbO4的相变温度;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3的加入,对BiNbO4的介电常数、Q值影响较大;而添加1%质量分数的ZnO-B2O3,致密化温度降低到900,达到96%的理论密度,在920保温4h,材料的r为41,Q·f为13500GHz。     

掺杂ZnO-B2O3低温烧结BiNbO4介质陶瓷的研究

研究了烧结助剂ZnO-B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响.结果表明ZnO-B2O3形成晶界玻璃相存在于晶粒之间,促进烧结,大幅度降低BiNbO4陶瓷的烧结温度,促使瓷体晶粒尺寸均匀和致密;但ZB的质量分数大于3%,阻碍晶粒长大,破坏晶体结构和排列,导致材料的缺陷和本征损耗增加,从而降低材料的介电性能.ZnO-B2O3的掺杂量以1%为最佳,在880℃保温4h,可达到97%理论密度,在100MHz测试频率下,εr=42,tanδ＜1.5×10-3.     

多层片式陶瓷电容器容量命中率的研究

多层片式陶瓷电容器 (MLCC)容量命中率低是生产中普遍存在的问题。本文通过微观结构、金属层和介质层厚度、以及工序因素分析 ,探讨了引起MLCC容量分散的主要原因 ,提出了工序中应控制的因素 ,为MLCC生产过程控制、提高容量命中率提供了依据。     

SiON薄膜中氢的研究

氢氧化硅薄膜是一种新型的薄膜材料,具有优良的光电性能,机械性能,钝化性能和化学稳定性能,但杂质氮的存在限制了它的应用。。详细阐述了氢氧化硅薄膜中氢杂质的存在活动及其对薄膜性能的影响,并提出了降低氢含量的合理方法。