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研究了室温下铌酸钙钡单晶的光学性质。分别用分光光度计和椭偏光谱仪测量了铌酸钙钡晶体的透射率和折射率随波长的变化关系,结果表明铌酸钙钡晶体具有正常色散关系,且寻常光折射率‰大于异常光折射率ne,说明该晶体为负的单轴晶。折射率之差在短波区达到0.12。透射率光谱显示该晶体在400~900nm波段是透明的。根据透射率计算了该波段晶体的吸收系数以及它的平方根。通过对该曲线的研究,发现铌酸钙钡晶体吸收边以下对应的跃迁为间接跃迁,计算出间接跃迁的禁带宽度E为2.94eV以及声子能量E为0.17eV。此外,通过改变系统光路中偏振片的透振方向,获得了寻常光和异常光的透射率,并进一步计算了它们的吸收系数。 相似文献
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用消光式椭圆偏振光谱法测量掺钇a-Si:H膜的光学性质 总被引:3,自引:1,他引:2
用消光式椭圆偏振光谱法测量了不同掺杂浓度下,掺钇a-Si:H膜的光学性质随波长的变化关系。利用有效介质近似理论计算了样品中钇的体积百分比,并与能谱法测量结果加以比较,两者相符。 相似文献
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用全息干涉法研究了新型压电材料硅酸镓镧的折射率均匀性,利用干涉透过率谱法研究了双折射率.并通过测量透过率,计算了吸收系数.确定了吸收系数与光子能量的变化关系. 相似文献
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532 nm连续激光对砷化镓材料损伤的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为〈100〉偏〈111A〉方向15°.实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作为探测材料损伤的方法.实验测得砷化镓的阈值损伤功率密度为2.56×105W/cm2.利用温度场的热传导方程计算获得材料的损伤阈值时间与入射光功率密度的关系曲线,并与实验曲线进行了比较. 相似文献
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采用椭圆偏振光谱法测量了新压电晶体Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)在可见光区的折射率,计算了折射率色散系数,拟合得到了Sellmeier方程。并用紫外可见光双光束分光光度计测定了可见光区旋光率以及双折射率。 相似文献
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Ca3NbGa3Si2O14单晶属硅酸镓镧的同系物,采用提拉技术生长.晶体为透明略带黄色,属三方晶系,32点群.利用TU-1901紫外可见光分光光度计测定透过波段为287~800 nm.在可见光范围内用椭圆偏振光谱法测定其非常光折射率ne大于寻常光折射率no,属于正光性单轴晶.通过一种新方法,即利用偏振光分光光度计测量透过率极值,间接计算了旋光度和旋光率,此单晶属右旋晶体,旋光率ρ非常大.在波长670 nm处,ρ为31.25°/mm;在波长307 nm处,ρ为218.75°/mm.计算了旋光率色散Boltzmann系数,绘制了旋光率色散曲线. 相似文献