在扫描电子显微镜中原位操纵、加工和测量纳米结构

在电子显微镜中对纳米材料和纳米结构进行原位测量是了解纳米材料的结构与性能关系的最重要手段,并且,在电子显微镜中操纵和加工纳米材料与纳米结构还可研究新结构和新器件.由于扫描电镜有大的样品室、可较容易地引入多个多种测量和操纵探针、并可配备多种探测器从多个角度对同一个样品进行表征,使得扫描电镜中的原位研究在纳米材料和纳米器件...     

催化裂化装置仪表DCS技术改造

介绍催化裂化装置仪表DCS技术改造过程。     

基于氧化硅隧穿电子源的高压力微型电离真空传感器

微型电离真空传感器在微小空间和特殊范围的压力探测中有着非常重要的应用。然而,之前的微型电离真空传感器存在或体积大或工作电压高或能耗高等缺点。以新型氧化硅隧穿电子源为阴极制备了一种高压力微型电离真空传感器,该传感器结构紧凑、加工简单、体积微小,仅为15 mm×15 mm×2 mm(长×宽×高),工作电压低、探测量程宽、探测压力上限高。实验结果显示,传感器在3.50×10^-2～1.02×10² Pa压力范围内具有很好的线性响应。研究为解决传统电离真空传感器和皮拉尼真空传感器在此压力范围内探测不准确的问题提供了一种可行的方案,有望推动电离真空传感器在更多重要领域应用。     

片上电子源的研究现状(二)

本文主要回顾总结近数十年来片上电子源的研究工作及最新进展,包括场发射片上电子源、内场发射片上电子源以及新型热发射微型片上电子源。本文从这些片上电子源的基本原理、加工制备以及工作性能(包括工作电压、工作真空、发射电流、发射电流密度和发射效率)等方面进行比较,分析各种片上电子源的优劣点,为片上电子源的发展现状做一个简单的总结。     

负电子亲和势材料及其在冷阴极中的应用

从20世纪60年代Ga As被首次发现具有负的电子亲和势起，负电子亲和势材料便被广泛地研究并应用于光电发射、二次电子发射以及冷阴极的制备中。相较于传统发射材料，负电子亲和势材料内部导带底高于表面真空能级，使得材料导带中的电子更易于从表面发射到真空中，因此该类型材料成为电子发射的理想材料。本文从定义、主要材料分类以及在冷阴极中的应用三个部分介绍了负电子亲和势材料，并对该材料应用的瓶颈和未来发展方向做了简要总结。