半导体材料电阻率的测量及电阻率测试仪

一、半导体材料电阻率的测量目前对半导体材料的电阻率测量有接触式测量法和非接触式测量法。而接触式测量法包括二探针法、三探针法、四探针法、六探针法、范德堡法等。其中,四探针法使用最广泛,测量准确度较高。该方法对于不同几何尺寸的材     

双电测组合四探针法测试半导体电阻率测准条件

简述了经典四探针法与双电测组合探法测量电阻率的优缺点，重点对双电测组合四探针法测量半导体电阻率的测准条件进行了阐述。并分别对不同形状的半导体材料如何测量进行了讨论，并给出了双电测组合法测量电阻率的准确计算公式。     

用两种四探针方法测量硅单晶片边缘电阻率及其结果的比较

本文简述了两种四探针方法测量硅单晶样片边缘电阻率的优缺点，及测量结果的比较，突出了双电测四探针方法的测量优点。     

双位组合四探针法测量硅片电阻率

本文研究用双位组合四探针测量硅材料薄片电阻率的新技术，提出新的计算公式和厚度修正原理。用双位组合法测量不同厚度硅样品所得结果与常规四探针法测得的结果相比较表明，用双位组合法测量较厚（Ｗ／Ｓ＞０．６）样品时，非但不能直接套用常规的厚度计算方法，而且还必须采取新的厚度修正。本文给出两种双位组合法的计算公式，分析新的厚度修正原理，给出测试结果，得出相应结论。     

双电测组合法测试半导体电阻率的研究

对双电测组合四探针法测试方块电阻(Rs)和体电阻率(ρ)进行了研究,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点:测量结果与探针间距无关,可使用不等距探针头;具有自动修正边界影响的功能,不必寻找修正因子;不移动探针头即可得知均匀性.推导出用于体电阻率时的厚度函数.论述了Rs、ρ、大小样片及边界附近的测试原理,给出了Rs和ρ的计算公式.     

论四探针法测试半导体电阻率时的厚度修正

论述了用四探针法测量半导体片电阻率时，怎样更好地进行厚度修正，结果才更准确。首先讲述经典四探针法中从厚块原理出发和从薄层原理出发测试体电阻率的原理及其分界点，再论述双位组合四探针法中实现厚度修正的特点，并给出修正函数计算式及一部分修正函数数据表。     

金属探针与硅单晶片的接触电阻与测量

前言在半导体材料和集成电路的测试工作中,广泛地采用探针技术,即运用金属探针与半导体表面的接触来了解半导体材料或器件某些参数特性。但是,目前还没有较完整的金属与半导体的接触理论。而金属探针与半导体的接触电阻的提法及阻值均不统一。该接触电阻的大     

并联小电阻的精密测量

在实际工作中,往往需要非十进的小电阻,如0.05Ω、0.5Ω等,而要求得到合适阻值的电阻是很困难的,故通常将两个电阻并联来获得其阻值。在精密测量中,要求阻值的测量准确度较高,则必须解决消除并联后连接导线电阻的问题,这也是本文将说明的问题。一、测量方法以0.1Ω的标准电阻并联为例,其测量线路如下图所示。