BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC

采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响 ,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其 β值。最后建议采用广义的 SPC使 β值受控达到设计规范     

射频低压器件物理和工艺技术的综合分析

本文的射频是指手机工作频率f。=0.9 GHz和1.8 GHz,低电源电压是3～5 V;众所周知,工作频率和特征频率fT密切相关,一般希望f。/fT是10%;现代的多晶硅发射区工艺技术可以控制基区宽度小到低于100 nm,从器件物理分析可以满足手机要求的fT的期望值;结合工艺技术的大量数据,还可以得到器件的特征尺寸即发射区宽度,从大量数据看,发射区宽度达到亚微米是必要的;低压是为了适应重量轻、体积小、用户使用方便,低压下MOS器件为了保持高的运行速度,其开启电压要相应降低,应该达到或小于电源电压的20%;这样PMOS管开启VTP下降到-0.6～-1 V或者绝对值更小,在多晶硅栅仍然采用传统的工艺N 多晶硅栅情况下,PMOS管的结构由一般教科书上介绍的经典的强反型表面沟道演变为埋沟,沟道区表面不是N型而是形成一层P型薄薄的扩散层,即形成纵向PN结,这时P型区厚度和浓度有利于|VTP|绝对值的下降,同时要避免发生PMOS管变成耗尽管,可能影响合格率.     

SOI和体硅集成电路工艺平台互补问题的探讨

本文讨论的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI (Bonding and Etch back SOI),由于在SOI材料上制造的集成电路(IC)和常规的体硅IC相比在性能上有许多优点,因此很有发展前途.目前SOI材料的性能和体硅相比确有一些差距,其主要原因是SOI的缺陷密度需进一步降低;但是有些质量问题要进行具体分析;例如工艺中不受控的重金属杂质集中在SOI区内无法泄漏;空气中硼(B)杂质污染硅片引起电阻率的变化;衬底的硅片是直拉单晶,其高浓度氧(0)杂质在高温时外扩散到SOI中引起SOI中O浓度提高等;这些问题的起因主要是由于各种杂质在硅中和二氧化硅中扩散系数不同所引起的,这些问题的解决有的需要二个工艺平台的互补,即需要相互配合使SOI IC的质量不断提高;本文将这些杂质产生的原因,影响和改进方法作初步探讨.     

BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC

采用SPC获得影响BiCMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用SUPREM3工艺模拟得到影响β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其β值。最后建议采用广义的SPC使β值受控达到设计规范。     

BiCMOS结构中阱特性的研究

叙述了以双极型工艺为主体的ＢｉＣＭＯＳ结构中ｐ阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在ｐ阱下面采用埋层，抑制或消除了ＢｉＣＯＭＳ中；ｐ阱结构的寄生效应，从而提高了芯片合格率。