质量干扰引起的离子微探针深度分析误差及其消除方法

用离子微探针测量Si 中注入B、As 杂质的浓度分布,发现测量误差很严重,原因在于质量干扰和J.C.C.Tsai 转换公式[1]有误。通用的离子探针不能将要测的二次离子和质量干扰离子分开,但根据本文提出的“实测二次离子计数分布模式”可将两者的离子计数分开。为了消除质量干扰离子的影响,导出两个对J.C.C.Tsai 公式的修正公式.据此得到与实际分布相符的注入杂质浓度分布,提高了仪器的测量准确度和监测极限。     

非晶态硅的电场效应研究

Mott曾利用Mos结构对无序系统进行了研究,后来先后有作者对a-Si进行场效应研究,其测量量是表面电导,所用样品的结构比较复杂,对工艺要求也比较苛刻.本文作者根据a-Si在外电场作用下的电容效应,选择电容作为测量量,并称之为电场效应.测量样品的典型形式为M-a-Si-c-Si结构.     

染料脉冲激光诱导扩散

叙述了一种在硅表面涂敷受主或施主杂质后用染料激光脉冲辐照制得掺杂簿层的技术.对掺杂薄层的物理特性进行了分析,探讨了掺杂过程的机构.     

脉冲激光诱导扩散的计算机模拟

本文用计算机解差分方程组的方法求解脉冲激光诱导扩散过程中的热导方程和杂质扩散方程,求得在硅片中不同深度层的温度分布、各层温度随时间的变化以及杂质扩散分布.要想得到有效的杂质扩散结果,激光强度必须大于一定值致使有一定深度的硅层发生熔化,从而出现液相扩散过程.影响杂质扩散结果的主要因素是脉冲激光功率密度和激光脉冲宽度,因为这两个因素是决定硅表面层熔化的深度和表面层保持液相的时间,从而决定扩散结果.对于不同波长的激光,硅片的光吸收系数和反射系数不相同也会对杂质扩散结果有所影响.计算机模拟计算的结果与染料脉冲激光对硼在硅片诱导扩散的实验结果相当符合.我们对结果还作了初步讨论.