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浅谈集成电路的废气处理 总被引:1,自引:1,他引:0
集成电路的工业废气有含氟化物、硫酸雾的酸性废气,含氨的碱性废气,含异丙醇、光刻胶的有机废气,含SiO_2的含尘废气,以及含硅烷、磷烷的工艺尾气等,这些工业废气中大部分成分是有毒有害的,必须进行有效的处理才能排入大气中。主要讨论上述工业废气的分类、处理方式、应用范围及应用实例等。 相似文献
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CMOS图像传感器中的串扰与常用解决方案 总被引:2,自引:0,他引:2
CMOS图像传感器中,串扰的大小会影响到图像传感器最终输出图像的质量,串扰越大,最终的图像质量越差,并随着目前像素单元尺寸的逐渐减小,光串扰和电荷串扰都会越来越严重。针对CMOS图像传感器中存在的这2种形式的串扰,结合具体的应用环境,出现了各种各样的解决方案。这些方案多从器件结构改进和材料等方面着手,采取有效措施,将CMOS图像传感器在具体场合应用时的串扰降低到了一个合理的水平。 相似文献
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随着半导体技术的发展,越来越多的立式炉管在200mm及300mm集成电路晶圆制造中被应用到。同时炉管制程中的片数效应随着集成电路芯片的集成度越来越高而被凸显出来。文章将以LPCVD氮化硅在0.16μm、64M堆叠式内存制造过程中的片数效应为例,阐述炉管制程工艺中的片数效应以及通过调整制程参数(温度、沉积时间)的方式予以解决的实例。文中通过调整炉管上中下的温度来补偿气体的分布不均匀,调整沉积时间来补偿不同片数的沉积速率的差异,两者结合并辅以基于片数的分片程式来解氮化硅电介质沉积的片数效应。同时以此为基础总结出炉管片数效应的解决方案。 相似文献
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在晶圆制造中广泛运用掺杂有硼和磷的二氧化硅即硼磷硅玻璃作为绝缘介质,一般用于金属布线前的绝缘层。掺杂硼磷的作用是降低回流温度,减少热预算。但在实际运用中,由于硼磷硅玻璃性质不够稳定,常常受到环境的影响,其中的三氧化二硼和五氧化二磷容易和空气中的水汽反应生成硼酸和磷酸继而形成缺陷,造成电路短路,最终导致产品低良率,给公司造成损失。文章就硼磷硅玻璃受环境影响的异常现象进行分析研究,找到缺陷形成的根本原因及预防方法。 相似文献
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针对BCD工艺中出现的NMOS管结漏电问题进行研究,通过失效分析的方法发现有结穿刺现象,怀疑为金属阻挡层工艺窗口较小。为进一步调查金属阻挡层的工艺容宽,尝试采用了苛刻的多次合金的方法对当前使用的阻挡层进行考察,发现经过多次合金处理的产品成品率大幅下降,从而确认金属阻挡层的工艺容宽较小。为了改进工艺进行准直溅射阻挡层、不同的金属阻挡层厚度、RTP、小应力阻挡层等试验,并结合多次合金的方法对阻挡层进行了考核。实验结果表明,应力过大是NMOS管漏电的根本原因。最后研发出一种优化的小应力阻挡层菜单,并成功应用于BCD工艺量产中。 相似文献
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在现代的半导体制造过程中运用了多种先进的工艺技术,离子注入就是其中的一种。它的作用主要是向硅衬底中注入一定数量和能量的杂质,以改变硅衬底中特定区域的电学性能。因为离子注入技术在实际的应用中,具有极高的工艺可重复性和对掺杂浓度和深度优良的控制能力,它已经成为了半导体制造过程中重要的工艺技术。 相似文献
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软模板的制作是紫外纳米压印中关键的技术,模版的分辨率直接决定了压印图形的最小分辨率。使用具有高度均匀、100nm级孔洞阵列结构的多孔氧化铝作为母版,使用基于液态浇铸的硅油稀释聚二甲基硅氧烷(硅油和聚二甲基硅氧烷的质量比为1:2)法制备出具有规则点阵结构的软模板。通过SEM和AFM表征发现,特征图形得到了有效转移,特征尺度保持在100nm左右。相对于传统的模板制备方法,此方法成本低、流程简单、适合大规模生产,是一种非常有前途的软模板制备方法。 相似文献
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染料敏化太阳能电池以其工艺简单、成本低廉、潜在的较高光电转化效率赢得了人们的青睐.论文对其工作原理合理简化,将电池考虑为由二氧化钛半导体、赝均匀介质层和电解质层三部分介质组成,应用载流子连续方程和传输方程以及泊松方程对其进行建模.讨论了电池内部各部分的电学特性和纳米管长度对电池性能的影响. 相似文献
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对预浓缩气相色谱质谱在半导体洁净室VOC(Volatile Organic compound,挥发性有机化合物)管控中的应用进行了系统的归纳和总结。主要从三个方面的应用进行了讨论:一是洁净室VOC来源确认,二是确认厂务系统处理效率的应用,三是厂务系统处理最终效果的确认。也是实验室分析仪器在半导体行业应用方面的成功范例。 相似文献
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本文先从特种气体在半导体晶圆代工厂的应用及气体的不同特性进行了分类和讨论.进而对特种气体在晶圆厂的主要供应流程及其要点进行了较具体阐述,并且对在晶圆厂有着重要作用的关键管件及设计要点进行了探讨,以便读者对整个特种气体供应系统在晶圆代工厂的储存、输送与控制等有较为清楚的了解。 相似文献