GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂

GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结果.     

InGaAs量子点的低温光伏谱研究

近年来,随着半导体薄膜外延技术的发展,低维半导体材料结构,特别是半导体量子线、量子点的制备己成为可能．与体结构材料相比,低维结构材料具有许多优越的性质和它所具有的深刻的物理内涵,己成为半导体物理研究的热点之一． 利用光伏效应测量半导体材料的性质已是一种成熟的手段,然而,采用无损的变温光伏谱方法研究低维半导体材料光学性质的报道还不多．本文采用无损的样品架装置,无须在样品上制备电极,不破坏样品的结构,研究了在不同温度下,ＩＳＧａＡｓ自组织量子点的光伏谱随温度变化的规律．实验测量了Ｉｎ０．４Ｇａ０．６…     

用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构

用Laplace谱隐谱仪（LDS）实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中SnDX中心上电子发射引起的非指数瞬态,发现它们起因子混晶无序效应。与DLTS的单一谱峰比较,LDS谱呈现出多峰结构,由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的直线拟合,得到多峰结构各峰谱的激活能,认为它们反映杂质深中心与其近邻原子的不同结构。研究表明,LDS适用于深能级精细结构的研究。     

Laplace缺陷谱方法研究

本文讨论了研究半导体缺陷深能级瞬态谱中遇到的多指数分解问题，并使用共轭梯度计算法对瞬态谱进行数值Laplace逆变换处理来实现多指数瞬态的分解．结果表明，此方法具有较高的分辨率，而且存储和计算量较小，适用于进行常规的深能级瞬态精细结构测量．     

Al_x Ga_(1-x)AS:Te的光致发光和DLTS研究(英文)

Photoluminescence (PL) and DLTS data are presented for Te-doped AlxGa1-xAs crystals in which carrier concentrations at 300K vary between 1 ×1016 and 1×1017cm-8 and compositions cover the range of 0.1相似文献   

InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究

实验得到不同温度下应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏谱，通过理论计算与实验结果的比较，对各谱峰进行了指认．本文着重考察各样品中１１Ｈ跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱宽的变化，讨论谱峰展宽机制中的声子关联、混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响．     

半导体激光器激活区中一维量子线的研制

采用一维量子线阵列结构作为激活区的半导体激光器与采用二维量子阱结构激活区的常用激光器相比，具有许多优越的性能。利用能量为４０ＫｅＶ的Ｇａ＋离子注人到Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ二维量子阱，再经白光快速退火，制备了线宽５００～４０ｎｍ的一维量子线并研究其光电特性。     

GaAsP混晶中Te施主深能级的研究

用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分为A,B,C三类,其发射率激活能各约为:E_(?)~A=0.18ev,E_(?)~B=0.28eV,E_(?)~C=0.38eV.其中只有A能级在x=0.23-0.95间的所有样品中出现,B和C能级的出现不存在明显的规律性.进一步研究了A能级的性质后,认为它来源于Te替位杂质的DX中心,而B、C能级的性质可能比较复杂.