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A diagram representation method is proposed to interpret the complicated charge pumping(CP) processes. The fast and slow traps in CP measurement are defined.Some phenomena such as CP pulse rise/fall time dependence, frequency dependence,the voltage dependence for the fast and slow traps,and the geometric CP component are clearly illustrated at a glance by the diagram representation.For the slow trap CP measurement,there is a transition stage and a steady stage due to the asymmetry of the electron and hol... 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜(0≤x≤1),用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构,发现对x较小的样品,合金层为单一的(100)面闪锌矿结构,(111)面的含量可以忽略.对x≈0.5的样品,合金层中(100)和(111)面的闪锌矿结构共存,两种结构呈现不同的组分,且(111)结构的x值总是小于(100)结构.对x=1的样品,外延层呈现单一的(100)氯化钠结构.对不同结构和含量所作的定量分析表明,(111)面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从(100)面闪锌矿结构向(100)面氯化钠结构转变的中间相. 相似文献
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我们提出了一种以图解的方式来理解复杂的电荷泵浦 ( CP ) 测量过程的方法。这里我们定义了电荷泵浦测量中的快速和慢速两种缺陷陷阱,并用图解的方式清晰直观地解释了电荷泵浦测量中出现的脉冲上升下降时间相关现象、频率相关现象、快速和慢速成分与测量电压相关现象以及几何效应对电荷泵浦测量的影响。由于电子和空穴的捕获截面不对称,并且测量到的电荷泵浦电流 ( Icp ) 是由捕获截面较小的电子或者空穴成分决定,所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态和稳态两个过程。我们还用这个图解的方法讨论了最新发展的改良电荷泵浦 ( MPC ) 方法的合理性。 相似文献
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ZnSe薄膜的激子光谱 总被引:3,自引:2,他引:3
采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 . 相似文献
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利用局域分子束外延技术生长了含有SiGe量子阱的岛状结构。实现了生长的岛状结构侧面不与掩模材料相接触。这种含有量子阱的岛状结构具有比相同结构量子阱强20多倍的光致发光强度。 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx(0<x<1)合金.用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射性能进行了研究.通过对其光学声子频率随x的变化研究发现,ZnTe1-xSx合金呈现典型的双模特性.其中,ZnTe1-xSx合金中类ZnTe模和类ZnS模的长波光学声子频率随组分x呈线性变化.用改进了的随机元等位移(MREI)模型计算了该合金的长波光学声子频率和x的关系,并与测量结果作了比较,理论和实验符合很好. 相似文献
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