用于内河船舶船岸一体化技术的射频前端设计

针对内河绿色智能船舶船岸一体化信息系统的需求,提出了一种多通道、宽动态、高灵敏度的接收机射频前端设计方法。介绍了接收机射频前端的架构设计,通过数理推导确定了射频链路的设计方案。研制了一款可应用于水上移动业务领域的VDES（甚高频数据交换系统）射频前端,该射频前端包括7路射频通道,具备对AIS、ASM、VDE和DSC信号的接收和发射功能。通过实际加工和测试,测试结果与预设值吻合较好。并将射频前端与整机进行装配实验,实验结果表明,接收动态范围≥110 dB,AIS接收灵敏度≤-117 dBm,相邻信道选择性≥70 dB,证明该射频前端设计方法具有可行性。     

CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。     

Cu掺杂对TaN薄膜的电性能影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备Cu掺杂的TaN薄膜。通过调节氮流量,研究了不同氮流量下Cu掺杂对TaN薄膜电性能的影响。由XRD结果可见,TaN薄膜中掺杂Cu可在2θ=54°出现Cu3N相,在2θ=57°出现CuN6相。氮流量的增加造成的结果:Cu掺杂的TaN薄膜厚度逐渐减小,薄膜的方阻和电阻温度系数(TCR)绝对值均增加。与无Cu掺杂的TaN薄膜的方阻和TCR作了比较,发现TaN薄膜掺杂Cu可有效改善薄膜的方阻和TCR。