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CdS多晶薄膜的电学性质 总被引:9,自引:1,他引:8
用化学池沉积方法(CBD)制备了CdS多晶薄膜,并对薄膜进行了退火处理,测量了不同CdS薄膜光电导、暗电导和电导-温度关系,计算了电导激光活能。结果表明:刚沉积的CdS暗电导率为10^-6Ω^-1.cm^-1比光电导率低二个数量级,退火后,电导升高,电导激活能减小。X射线衍射分析表明,经退火后,CdS薄膜发生相变,由立方结构变成六方结构。对上述结果进行了讨论。 相似文献
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