CdS多晶薄膜的电学性质

用化学池沉积方法（ＣＢＤ）制备了ＣｄＳ多晶薄膜，并对薄膜进行了退火处理，测量了不同ＣｄＳ薄膜光电导、暗电导和电导－温度关系，计算了电导激光活能。结果表明：刚沉积的ＣｄＳ暗电导率为１０＾－６Ω＾－１．ｃｍ＾－１比光电导率低二个数量级，退火后，电导升高，电导激活能减小。Ｘ射线衍射分析表明，经退火后，ＣｄＳ薄膜发生相变，由立方结构变成六方结构。对上述结果进行了讨论。     

温度循环下CdS/CdTe太阳电池稳定性的研究

对CdS/CdTe太阳电池在温度循环下的稳定性进行了研究,测定了其I-V特性曲线,并与室温下的电池作了比较.结果表明:经温度循环后电池的转换效率、填充因子和短路电流密度都有不同程度的下降,而用ZnTe作背接触层的电池稳定性有所改善.