封装载板内置电镀散热金属块技术

文章介绍一种电镀散热金属块制作技术,涉及电子电路、半导体芯片封装领域。通过在电子电路的芯片封装区域内电镀大面积散热金属块,在三维方向上布设立体贯通的实心金属散热通道以增强芯片的散热性能。本技术基于珠海越亚铜柱法专利技术,可依据产品的散热需求来对金属块的位置、形状、大小进行客制化设计,并通过图形转移和电镀工艺实现,具有较高的设计灵活性和匹配性;金属块的厚度是通过电镀和磨板控制,通过相关DOE测试与验证,具有良好的表面平整性及厚度均一性。通过在电子电路内电镀散热金属块,可将封装在电子电路上的元器件运行时产生的热量快速散发,有效降低元器件的工作环境温度,提高元器件运行的性能稳定性和可靠性。在当前半导体封装器件趋于高频高速、高功率、高运算量而追求高散热的背景下,本技术可提供优良的散热解决方案并已经广泛商业应用。     

铜柱法协同高导热介质提升和封装基板散热能力提升研究

本文介绍了一种封装基板散热效能提升方案,通过同时采用高导热封装基板材料和铜柱法工艺,实现封装基板的热导率得到显著提升。本研究的重点是封装载板的热性能,从基板材料和封装基板工艺制备的角度出发,对高导热率封装基板材料进行工艺的可靠性分析和实验验证。此外,还提供了封装基板材料的热导率和相应封装载板产品的热扩散系数测试方法及测试结果的讨论。同时,对比研究了高导热率的封装基板材料和传统的封装基板材料分别应用于与铜柱法工艺和激光工艺。实验结果表明,由于铜柱法可以实现实心互联结构且侧壁光滑,高导热率封装基板材料结合铜柱法可实现最优的散热效果,对应的封装载板产品的热扩散系数和热导率较传统的封装基板材料分别提升60%和2.6倍,在未来芯片和模组封装热管理中具备显著的优势和潜力。     

电子封装中高散热铜/金刚石热沉材料的电镀技术研究

随着半导体封装载板集成度的提升,其持续增加的功率密度导致设备的散热问题日益严重。金刚石-铜复合材料因其具有高导热、低膨胀等优异性能,成为满足功率半导体、超算芯片等电子封装器件散热需求的重要候选材料。文章采用复合电镀法成功制备了铜/金刚石复合材料,考察了不同复合电镀的工艺方法、金刚石含量、粒径大小对复合材料微观结构、界面结合以及导热性能的影响。并通过优化复合电镀方式,金刚石添加量等工艺参数,制备了无空洞、界面结合紧密的高导热复合材料;仅添加8.8 vol%的金刚石,使复合材料的导热率从393 W/(m.K)增加到462 W/(m.K)。本技术可以应用于半导体封装领域,并进一步增强芯片的散热性能。