标准椭圆形封头外表面曲边高度的计算程序

标准椭圆形封头外表面曲边高度的计算程序黄水龙（甘肃省石油化工设计院）关键词椭圆形封头曲边高度计算程序在计算椭圆形封头上接管长度或计算裙座筒体与椭圆形封头对接处的标高时，需要计算椭圆形封头的曲边高度，但椭圆形外表面曲线方程没有表达式，大多数人将椭圆形...     

快速建立时间的自适应锁相环

该文简要讨论了环路性能(建立时间,相位噪声和杂散信号)和环路参数(带宽,相位裕度等)的相互关系。提出并分析了一种自适应的具有快速建立时间的锁相环结构及其关键模块(鉴相鉴频器和电荷泵)。该结构基于两个环路:粗调谐环路和精调谐环路。粗调谐环路用于快速收敛,而精调谐环路用于精细的调整。环路参数调整连续发生,无需切换环路滤波器元件和外面的控制信号。基于SMIC 0.18m 1.8V CMOS工艺的Spectre仿真表明:粗调谐鉴相鉴频器能够有效地关断粗调谐回路;电荷泵上下电流具有小于0.1%的静态失配特性;在相同的环路带宽下与传统的锁相环相比,自适应锁相环能减少超过30%的建立时间。     

适用于中国超宽带标准的0.18μm-CMOS单边带混频器设计

基于0.18 μm-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的单边带(SSB)混频器.对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求.结果表明,在6 GHz～9 GHz范围内,转换增益大于-2 dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,IP-1dB大于0 dBm,ⅡP3大于10 dBm.电路核心面积0.35mm×0.65 mm,工作电压为1.8 V,直流电流10.6 mA.     

基于40 nm CMOS工艺可快速锁定的宽带锁相环电路设计

通过改进鉴频鉴相器(PFD)的电路结构,增加一个控制模块自适应调整电荷泵的充放电电流大小,设计了一种可快速锁定的宽频带电荷泵锁相环电路.当鉴频鉴相器输出的相位误差值大于控制模块中的延迟时间τ时,打开控制开关增加电荷泵的电流,从而增加环路带宽,减少环路滤波器的电阻值,实现快速锁定,环路稳定性不变.当环路接近锁定时,调整带宽到预设的优化值,保证了系统性能的最优化.基于SMIC 40nm CMOS工艺,完成电路设计与仿真.结果表明:在电源电压为2.5V时,该锁相环可实现输出频率范围为698~960 MHz,1 700~2 200MHz,2 300~2 700MHz,覆盖GSM,TD-SCDMA,WCDMA,TD-LTE四个通讯标准的工作频段,锁定时间小于12μs.     

采用环型运放的12-bit 40-MS/s采样保持电路设计实现

为了保证模数转换器转换速度和精度,本文基于0.18微米工艺,设计实现了一款应用于12-bit 40-MS/s流水线ADC前端的采样保持电路.所采用的环型结构运放,可以简化设计、且占用面积小;同时,采用绝缘体上硅工艺,可以消除栅压自举开关中开关管的衬偏效应,改善开关的线性度,提高采样保持电路的性能.采样保持电路面积是0.023平方毫米.测试结果表明：在1.5V供电电压下,采样保持电路功耗是3.5mW;在1MHz输入频率、40MHz采样频率下,该采样保持电路无杂散动态范围可以达到76.85dB,满足12-bit 40-MS/s流水线模数转换器应用需求.     

基于SOI-0.18 μm高PAE CMOS Class-E功率放大器北大核心CSCD

基于IBM SOI-0.18μm CMOS工艺,实现了高PAE的Class-E功率放大器.此放大器由两级构成.在输出级采用了负电容技术,抵消寄生电容,提高效率.输出级的共栅管采用自偏置,防止晶体管被击穿.驱动级采用Class-E结构,使得输出级能更好地实现开与关.两级之间使用了改善输出级电压和电流交叠的网络.通过使用这些技术,在2.8V电源电压下,功率放大器工作在2.4GHz的时候,输出功率为23.44dBm,PAE为58.99%.     

适用于中国超宽带标准的0.18um-CMOS单边带混频器设计

基于0.18um-CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带（UWB）标准的单边带（SSB）混频器。本文对电流换向型混频器进行分析,提出折叠PMOS跨导级结构使线性度和转换增益得以同时提升,并应用并联峰化技术扩展电路带宽,满足了系统超宽带、高线性度和增益适中的要求。结果表明,在6GHz～9GHz范围内,转换增益大于-2dB且增益平坦,镜像抑制约为90dB,摄入1dB压缩点大于0dBm,IIP3大于10dBm。电路核心面积0.35mm×0.65mm,工作电压为1.8V,直流电流10.6 mA。     

A 1.8-2.6 GHz CMOS VCO with switched capacitor array and switched inductor array

The design of a 1.76-2.56 GHz CMOS voltage-controlled oscillator(VCO) with switched capacitor array and switched inductor array is presented.Fabricated in 0.18μm 1P6M CMOS technology,the VCO achieves a 37% frequency tuning range.The measured phase noise varies between -118.5 dBc/Hz and -122.8 dBc/Hz at 1 MHz offset across the tuning range.Power consumption is about 14.4 mW with a 1.8 V supply.Based on a reconfigurable LC tank with switched capacitor array and switched inductor array,the tuning range is a...     

从高层住宅空调水系统调试看排气阀及泄水阀的设计

关于中央空调系统的设计的文献现在已经是非常的丰富,中央空调系统的设计也已经比较成熟。但笔者通过对多个高层住宅项目的空调调试发现,现行的许多设计工作者都没有充分考虑到日后调试的方便。本文将从调试的角度来剖析排气阀和泄水阀的某些不合理设计。     

自调谐VCO频段选择技术比较与设计

系统分析了自调谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点,设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构.该压控振荡器用5层金属0.25 μ m的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约1 80MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz.