γ-LiAlO2衬底上生长GaN的研究进展

γ-LiAlO2与GaN的品格失配很小,易于分离,在其（100）面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本性质,详细介绍了γ-LiAlO2衬底上用各种方法生长GaN的研究进展。