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无线电
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1.
高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化
总被引:1,自引:0,他引:1
胡旭宏
张敏
俞波
黄焕章
《电子学报》
1998,26(2):15-19
本文报导一套先进的BiCMOS集成电路制造技术,建立在CMOS工艺基础上的BiCMOS制造工艺,增加了双埋层,2.5微米本征外延层,双阱,基区,多晶硅发射区,深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明,双极器件和MOS器件性能优良,BiCMOS器件的抗锁定性能比CMOS器件提高了一个数量级。
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