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1.
选用CuPc(酞菁酮)为供电子的材料,Alq3(8-羟基喹啉铝)为激子阻挡层,研究了结构为ITO/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Alq3(x)/Ag(100 nm)的有机太阳能电池(OPV),考察了OPV性能同阻挡层Alq3厚度之间的关系.通过分析发现,OPV效率同有机功能层厚度密切相关,在标准太阳光照条件下,结构为ITO/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Alq3(x)/Ag(100 nm)的器件效率随着Alq3厚度的增加先增大后变小,当厚度为0 nm时,效率为0.285%;当厚度为2.5 nm时,效率为1.13%;而当厚度为5 nm时,效率为0.569%;当厚度为10 nm时,效率则为0%.  相似文献   
2.
选用CuPc(酞菁酮)为供电子的材料,使用Bphen(4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲)为缓冲层的材料,研究了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Bphen(x)/Ag(100 nm)的有机太阳能电池(OSC).考察OSC性能与缓冲层Bphen厚度之间的关系,优化器件的结构.在标准太阳光照条件下(AM1.5)测量器件的Ⅰ-Ⅴ特性,结果显示,太阳电池的能量转换效率与缓冲层厚度密切相关.采用高真空蒸发的方法,制作了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuPc(20 nm)/C60(40 nm)/Bphen(x)/Ag(100 nm)的器件,器件效率随着Bphen厚度的增加先增大后变小,当厚度为0 nm时,效率为0.85%;当厚度为2.5 nm时,效率为1.22%;而当厚度为5 nm时,效率为1.69%;当厚度为7.5 nm时,效率则为0.79%,当厚度为10 nm时,效率则为0%.  相似文献   
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