热解氮化硼坩埚的研制及其在分子束外延中的应用

一、序言热解氮化硼(Pyrolytic Boron Nitride,简称PBN)是特种陶瓷材料,有各向异性和各向同性之分。据文献报导,前者用途较广,而后者尚限于几方面的应用。本文研究前者。PBN材料,从资料推测在六十年代末、七十年代初期,国外从研究已进入生产阶段。开始有商品出售。如今已广泛地用于宇航、电子、电工、化工、冶金、医疗等各领域。由于它的物理和化学性能比较稳定,真空性能好,在半导体材料的制备上有     

热解氮化硼(PBN)坩埚的研制及在分子束外延中的应用

一、前言热解氮化硼(PBN)是一种新型陶瓷材料。这种材料有各向异性与各向同性之分。据文献报道前者用途较广,而后者尚限于几方面的应用。本文研究前者。PBN 材料,从六十年代末,七十年代初国外已从研究进入生产,开始有商品出售,如今已广泛应用在宇航、电子、电工、化工、冶金、医疗等各领域。由于PBN 的物理和化学性能比较稳定,在半导体材料的制备上有着特殊的价值。如分子束外延用坩埚、到液相外延用的舟皿、砷化镓单晶坩埚都要用它。分子束外延用束源坩埚     

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.     

分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．     

分子束外延砷化镓单晶薄膜

MBE GaAs单晶薄膜的载流子浓度(1.8-8)×10~(16)cm~(-3),室温迁移率 3000-5000cm~2/V.3最高达5466cm~2/V.s,相应的77K迁移率为1.59 ×10~4cm~2/V.s.对高杂质浓度的外延层进行了阴极荧光(4.2K) 和SIMS 测量分析.     

分子束外延GaAs单晶薄膜

本文主要介绍我们在自己研制的分子束外延(MBE)设备上进行的GaAs单晶薄膜的生长研究。这个工作从1980年开始,在不断改进分子束外延设备和外延生长条件的基础上,使MBEGaAs的性能有了大幅度的提高。     

化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料

在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2/V·s,μ_(77K)=5000cm~2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。     

分子束外延高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构

利用国产分子束外延设备研制出高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构材料.经光荧光测量分析,其n=1的电子-重空穴自由激子复合发光的谱线很窄,半峰宽仅1.2MeV(阱宽141A,温度10.5K),表明量子阱阱宽和异质结界面平整度的起伏小于一个单原于层.样品从低温到室温都能保持激子发光特性.