锑基高工作温度红外探测器研究进展

锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗(SWaP)的要求.目前,工程化研制高工作温度红外探测器的锑基材料主要有3类:InSb、锑基II类超晶格和InAsSb,国外已报道了640×512、1024×1024和2040×1156规格的焦平面阵列,工作温度提高到150 K以上.本文从材料特性和器件结构、像元尺寸及工艺技术来阐述国内外锑基高工作温度红外探测器的研究状况.     

基于InPb合金的非制冷焦平面探测器窗口低温焊接工艺研究

研究了采用纯度为99.9%的In70Pb30合金作为焊料片的低温焊接技术,分析了焊接时候的影响因素:焊料片的影响、升温速率、焊接温度、真空度,通过采用甲酸对焊料片预处理去除氧化层,在215℃、5×10-7 torr的真空环境下进行了焊接,焊接后的样品采用X-ray、拉力测试系统、检漏仪测试了样品的孔洞率、焊接强度、漏率,结果表明:焊接后焊接区域合金均匀、无缝隙、孔洞率少、剪切力高、气密性好,能够满足非制冷焦平面的窗口封接的气密性要求.     

CdS紫外探测器芯片的制备研究

针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析.测试结果表明:Pt/CdS肖特基紫外探测器在0.3～0.5μm下响应率大于0.2 A/W,对3...     

非蒸散型薄膜吸气剂的研究现状及应用进展

非蒸散型吸气剂薄膜是超高或极超高真空系统获得和维持真空条件的重要材料,近年来吸气剂广泛应用于MEMS真空封装领域。综述了非蒸散型吸气剂的材料体系、研究现状和工程应用,介绍国内外吸气剂薄膜的研究现状、存在的主要问题及发展趋势。讨论了吸气剂在MEMS真空封装系统的工作原理,传统吸气剂在封装领域的挑战,薄膜吸气剂在封装系统遇到的问题和发展趋势。