Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究

在器件的金属化层及封装等结构中，高原子序数材料在低能X射线的辐照下，会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应，从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件，在X射线和γ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系。并对实验结果进行了比较，得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线，对剂量增强效应进行了有益的探讨。     

基于虚拟仪器的CMOS器件脉冲总剂量效应在线测试系统研制

从效应研究的角度出发,利用Labview软件,自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的CMOS器件脉冲总剂量效应在线测试系统,详细介绍了其硬件结构和软件设计思想,利用该系统在"强光一号"辐射模拟装置上开展了试验验证,表明其原理和技术途径是可行的,基本掌握了开展CMOS器件脉冲总剂量损伤以及时间关联退火响应研究的关键测试技术.     

典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证

应用美军标试验方法1019．5和1019．4分别对两种典型（Complementary Metal-Oxide—Semiconductor Transistor,CMOS）器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分析,了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可行性和保守性。实验表明,两种不同工艺的CC4069器件没有通过1019．5所做出的试验验证,从实验现象观察认为是由于界面陷阱电荷大量建立所引起的。加固LC4007-RHA NMOS却通过了与1019．5相比过分保守的1019．4的试验验证。     

基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制

介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可辐射回避的在线测试系统,并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明,测试系统能准确、可靠地进行配置存储器测试,辐射回避是实现大规模集成电路瞬时电离辐射效应测试的有效手段。     

CMOS器件的等时、等温退火效应

研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了nMOSFET和pMOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:100℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过25℃与100℃等温退火结果的比较,可以确定此种器件的加速因子.相对于0V和浮空偏置条件,在+5V栅偏压退火情况下,阈值电压恢复速度快,恢复程度大.     

CMOS器件的x光总剂量效应

主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的ＣＭＯＳ器件，在不同情况的ｘ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将ｘ射线辐照的结果与＾６０Ｃｏ辐照的结果比较得出，ｘ射线辐照对器件损伤严重。同时，探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。     

电子元器件及电路的剂量率效应测试技术研究

介绍了半导体器件与电路的剂量率效应及其测试方法。主要分析了分立器件和集成电路的效应机理和建立的光电流测试系统及瞬时回避测试系统,给出了在晨光号加速器和DPF辐照装置上三极管及瞬时回避开关电路的辐照效应测量结果。     

用稀土镁复合锌基铝合金生产轴瓦,蜗轮等零件

在锌基铝合金的基础上,通过添加适量的镁、稀土等元素获得了机械性能更加优良的新型合金材料,减轻甚至消除了原合金在凝固时的枝晶偏析现象,在实践过程中,根据合金的铸造特性和零件的结构特点,采取了相应的工艺手段,消除了由于枝晶偏析造成 缩孔及缩松现象,成功地制造出轴瓦、蜗轮等合格铸件,提出了合金成份,分析了合金的物理性能和力学性能,详细叙述了在铸造过程中应采取的工艺措施,对实践有一定的指导意义。     

脉冲总剂量效应测试技术及其损伤规律研究

建立了基于PCI插卡式虚拟仪器的脉冲总剂量效应在线测试系统,详细说明了其工作原理和技术指标。利用该系统研究了脉冲辐照后CMOS器件总剂量损伤以及时间关联的退火响应,包括不同栅偏压对总剂量损伤和退火行为的影响,以及氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷引起的阈值电压漂移与退火时间的关联情况,并从物理机理上进行了详细的分析。