Preparation of biaxially textured Ce1-x(Y0.2Zr0.8)xOδ buffer layers on RABiTS NiW tapes by chemical solution deposition

Highly (100)-oriented Ce_1-x(Y_0.2Zr_0.8)_xO_δ (CYZO) films were prepared on biaxially textured NiW substrates by a chemical solution deposition approach using metal inorganic salts as starting materials. It has been found that both the preferential orientation and surface roughness of CYZO films decrease gradually with increasing of the doping percentage of Y³⁺ and Zr⁴⁺ ions. The epitaxial growth relationship of (220)_CYZO//(200)_NiW and [00?l]_CYZO//[001]_NiW was demonstrated by XRD texture measurement as well as atomic resolution STEM observation. XRD, Raman and XPS spectra results indicate that Y³⁺ and Zr⁴⁺ ions were indeed introduced into CeO₂ lattice to substitute Ce⁴⁺ ions and form cubic fluorite CYZO solid solution. Moreover, CeO₂ buffer layer can be endowed a strong enough capability to prevent element diffusion through co-doping of yttrium and zirconium, provided that an optimal doping ratio of them is adopted. This will provide a new approach to fabricating strong-barrier single buffer layer for coated conductor.     

无差拍控制提高变速异步风力发电系统的故障承受能力

变速风力发电机对于电网扰动、故障以及电网电压跌落非常敏感，当上述情况发生时风力发电机将从电网切除，直到电网恢复正常才能重新投入运行。如何在电网发生扰动时保持风力发电机的正常运行是一个有挑战性的课题。未来的电网规范甚至要求在电网发生故障时风力机组仍能保持运行，这就要求必须安装保证风电机组低电压运行的控制装置。文中针对采用全载换流器与电网进行连接的异步风力发电机组提出了相应的风电机组低电压控制器及控制策略，无须进行硬件改造即可实现电网故障情况下风电机组不退出运行。其中，风电机组电气子系统控制器基于无差拍控制策略进行设计。算例给出了300 kW的风电机组在30%电压跌落情况下的暂态过程，没有加入控制器之前风电机组将停机，加入之后则可以保持运行，验证了所提方法的正确性。     

基于小波熵的电容器扰动识别和定位

对投电容器扰动识别和定位的方法进行了改进。针对其他此类方法的不足，比如在电压幅值低时投电容器扰动的识别、定位“可信度不高”等，文中通过提取小波变换的特定层的系数，对需要识别的电容器扰动的分解信号相对增强，而其他扰动的分解信号相对减弱，然后再提取熵特征值，结果表明它可以作为识别低电压时投电容器扰动的依据。在对电容器扰动进行定位时，参考了功率和能量定位法，并对其进行了改进。仿真分析证明，在电压幅值较低时，可以准确和可靠地对电容器扰动进行识别和定位。     

热氧化磁控溅射金属锌膜合成一维ZnO纳米棒

利用退火热氧化射频磁控溅射金属锌膜的方法在Si(111)衬底上制备了一维Zn O纳米棒,同时用多种测试手段对样品的晶体结构、表面形貌和光学性能进行了研究.XRD,SEM和TEM的测试结果表明,Zn O纳米棒为单晶相六方纤锌矿结构,呈头簪状向外发散生长,直径在30～60 nm左右,其长度可达几μm.PL 谱测试结果表明:在波长为280 nm光的激发下,在372 nm处有强的近带边紫外光发射和516 nm处的较微弱深能级绿光发射.说明合成的一维Zn O纳米棒的结晶质量和光学性能优良     

Bi2223超导带材的机械性能的改善

通过在超导芯部引入Ag合金的方法制备了新结构单芯和多芯带材，并研究了此种带材机械性能，以及其相对于普通Bi-2223超导带材变化。这种新结构提高了Bi-2223超导带材抗拉伸应变的能力。在拉伸应力的作用下，单芯样品的屈服强度和σ0.2不可逆应变极限εirr和普通样品相比均有较大幅度的提高，其中的最大不可逆应变极限εirr约为0．32％，最大屈服强度σ0.2约为85MPa。多芯样品的最大不可逆应变极限εirr约为1．1％，最大屈服强度σ0.2约为160MPa。实验证明添加合金丝提高了纯银包套多芯带材的不可逆应变极限εirr，并减弱了临界电流的退化速度。但对合金包套的带材影响不大，这时合金包套对于带材的力学性能起主要作用。     

多媒体定时器方法中MFC跨线程传递窗口类消息的实现

为实现高频数据采集,采用多媒体定时器的方法实现上位机精确定时,同时研究实现了MFC中跨线程窗口类消息传递问题的解决方案。实验表明,定时精度高,达到10毫秒精确定时,不会出现数据丢失,运行良好。     

智慧城市综合能源系统数字孪生技术及应用

传统城市向智慧城市的转型发展对能源系统提出了新的要求,建设数字化、互动化的综合能源系统是重要的应对思路之一。在先进信息技术的驱动下,综合能源系统的数字化与信息化水平不断提升,但如何充分发挥其技术价值仍需要探索。该文围绕综合能源系统的数字孪生技术,对其在智慧城市发展中的需求、价值与意义进行了分析,对其基本技术框架和技术挑战进行了探讨,对相关的关键技术问题进行了阐述,并围绕综合能源系统数字孪生在系统规划、运行、控制以及与城市多领域协同交互等方面的应用进行了展望,希望能够为综合能源系统数字孪生技术的未来发展与应用提供一些思考和借鉴。     

Fabrication of ZnO films by radio frequency magnetron sputtering and annealing

ZnO thin films were deposited on Si（111） substrates through a radio frequency （rf） magnetron sputtering system. Then the samples were annealed at different temperatures in air ambience and ammonia ambience respectively. The structure and composition of the ZnO films were studied by X-ray diffraction （XRD） and X-ray photoelectron spectroscopy （XPS）. The morphology of the samples was studied by scanning electron microscopy （SEM）. Measured results show that ZnO films with hexagonal wurtzite structure were grown on Si（111） substrates when annealed in the two ambiences. The volatilization process of ZnO in the ammonia ambience at high temperature was discussed and the mechanism of the reaction was analyzed.     

Bi-2223/Ag超导带材前驱粉与热处理的匹配问题

研究了Bi-2223／Ag高温超导带材的前驱粉与后续热处理工艺之间的匹配问题。实验采用A，B，C3种不同的前驱粉。A粉是成分配比为2223的喷雾热分解单粉，B粉和C粉都是2212加CaCuO，组分的2223双粉。B粉和C粉的区别在于，2212加CaCuO，混合后的除碳处理工艺不同。B粉为800℃，3h，C粉为830℃，10h。利用激光粒度分析仪（RSA）和扫描电镜（SEM）对这3种前驱粉的粒度进行了表征，并用X射线衍射仪（XRD）对用这3种粉分别制成的带材经第1次热处理（HT1）后的2223成相率和相结构进行分析，从而找出它们各自对应的最佳HT1工艺。采用四引线法在77K，0T下测试经中间轧制和第2次热处理（HT2）后的临界电流（五），以确定其对应之最佳HT2工艺。RSA和SEM分析表明：A粉颗粒度明显细小，平均中径粒度为1．5μm，且粒径分布区域集中，B粉约3μm，粒径分布较分散，而C粉为4-5μm。研究结果证明：前驱粉的特性直接影响着超导带材的最终超导性能。一种特定的前驱粉，对应着一种特定的最佳HT1和HT2工艺。只有在二者匹配良好前提下，才能使前驱粉的性能得以发掘。     

Preparation and characterization of GaN films grown on Ga-diffused Si （111） substrates

Hexagonal GaN films were prepared by nitriding Ga2O3 films with flowing ammonia. Ga2O3 films were deposited on Ga-diffused Si (111) substrates by radio frequency (r.f.) magnetron sputtering. This paper have investigated the change of structural properties of GaN films nitrided in NH3 atmosphere at the temperatures of 850, 900, and 950℃ for 15 min and nitrided at the temperature of 900℃ for 10, 15, and 20 rain, respectively. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to analyze the structure, surface morphology and composition of synthesized samples. The results reveal that the as-grown films are polycrystalline GaN with hexagonal wurtzite structure and GaN films with the highest crystal quality can be obtained when nitrided at 900℃ for 15 min.