浸渍剂和压紧系数对全膜电容器端部电场分布的影响研究

全膜电容器边缘处的电场畸变是影响电容器元件击穿的重要因素之一.为研究浸渍情况和压紧系数对全膜电容器电场分布的影响,对电容器端部进行建模,通过改变浸渍情况和压紧系数,计算不同参数下电容器端部的电场分布情况,结果表明:未浸渍情况下电场最大值集中在折边处两侧,浸渍情况下场强在折边圆弧处分布较为均匀.同时发现,在浸渍情况下增大压紧系数K可以明显改善全膜电容器端部电场的分布情况.     

2003年全国单片机及嵌入式系统学术年会暨多国产品展示会会议通知

20 0 3年全国单片机及嵌入式系统学术年会暨多国产品展示会定于 2 0 0 3年 10月 11～ 13日在天津大学召开。会议期间将有两院院士、专家和国内外知名厂商的代表作主题报告 ,并举行论文报告会以及单片机与嵌入式系统及其应用多国产品展示会。本次大会的主办单位为中国计算机学会微机专业委员会 ,天津市人民政府信息化办公室 ,天津市科学技术协会 ,天津市计算机学会 ;承办单位是天津大学和天津市计算机学会单片机分会 ;协办单位有《电子技术》杂志社 ,北京航空航天大学出版社 ,2 1ＩＣ中国电子网 ,全美华人科技工作者协会 ,台湾单晶片暨嵌入式…     

幔汁—H-A-C-O-N-S流体

本文根据地洼说、裂谷说、软流层、富化地幔、亏损地幔、热缕、透岩浆流体、去气化、油气无机成因、盐类矿床深成说、热液矿床碱交代作用、玄武岩高温高压实验等方面论证幔汁的存在。幔汁(HACONS)是指产生于地幔的氢、卤素、碱、碳、氧、氨、硫间的化合物热流体。H代表氢、卤素和热,A代表碱金属,C代表碳,O代表氧,N为氮,S为硫族。幔汁不包括硅铝酸盐。硅铝酸盐岩浆乃是幔汁与固相岩石反应的派生物。地壳中槽、台、裂谷、地洼、板块构造、岩浆侵入、火山,热液、变质、热沉积以及有关的成矿作用乃是软流层中幔汁大规模水平和垂直活动的种种表现方式。软流层或低速带就是幔汁集中层。     

持续高速发展的中国熔模铸造

中国是熔模铸造技术的发源地之一。据考古和铸造工作者的研究,失蜡铸造技术在我国产生于春秋早、中期,距今2500年前。1978年湖北随县出土的曾侯乙墓的尊和盘是早期失蜡铸造的代表作。尊     

狼眼看网

在这里可以像用画图软件一样作画,但涂鸦板的功能比Windows自带的画笔强大得多。用这个涂鸦板可以画出高手级的作品,而且能够记录下作品的绘制过程,参考别人的绘制方法的话,对于提高绘画技巧可是很有帮助的。     

盆地矿套

本文对盆地成矿进行一次归纳。盆地有以下诸特性:(1)破盆;(2)水盆;(3)气盆;(4)煤盆;(5)油盆;(6)盐盆;(7)碱盆;(8)酸盆;(9)热盆(有地热异常场);(10)铀盆;(11)沙盆。