全文获取类型
收费全文 | 131篇 |
免费 | 9篇 |
国内免费 | 6篇 |
专业分类
电工技术 | 12篇 |
综合类 | 5篇 |
化学工业 | 15篇 |
金属工艺 | 16篇 |
机械仪表 | 13篇 |
建筑科学 | 7篇 |
能源动力 | 2篇 |
轻工业 | 7篇 |
水利工程 | 4篇 |
石油天然气 | 6篇 |
无线电 | 27篇 |
一般工业技术 | 14篇 |
冶金工业 | 8篇 |
自动化技术 | 10篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 15篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 8篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 11篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 12篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 3篇 |
2009年 | 13篇 |
2008年 | 12篇 |
2007年 | 10篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 3篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
排序方式: 共有146条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Kerber A. Cartier E. Pantisano L. Degraeve R. Kauerauf T. Kim Y. Hou A. Groeseneken G. Maes H.E. Schwalke U. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(2):87-89
The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling. 相似文献
2.
排山楼金矿位于华北地台北缘,为受控于韧性剪切带的大型金矿床。该矿床成因与韧性剪切带密切相关,矿区成矿地质条件优越,具有很好的找矿潜力。通过总结排山楼金矿地质特征及其主要控矿因素,认为区内韧性剪切带为控岩(控矿)构造,控制着赋矿糜棱岩和金矿体的空间展布,向矿区深部赋矿岩石变薄,找矿空间变小。通过分析T4矿体的品位和厚度分布规律发现,矿体厚度及品位分布规律在空间上表现出高度一致性,根据金品位等值线图判断矿体向南西侧伏。研究认为T4矿体在南西深部其厚度及品位降低趋势明显,向深部工业价值不大,应重点加强对其他韧性剪切带找矿潜力的研究。 相似文献
3.
4.
5.
锂离子电池凝胶聚合物电解质 总被引:1,自引:0,他引:1
对锂离子凝胶聚合物电解质的结构特征、导电机理、制备方法进行了总结和评述,对锂离子聚合物电解质及锂离子电池的发展进行了预测。 相似文献
6.
采用溶胶凝胶法合成锂离子电池正极材料LiNi0.03Mn1.97O4,使用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对合成材料的结构及物理性能进行了表征。将合成材料作为锂离子电池正极活性材料,考察烧结温度对其结构及电化学性能的影响。随着烧结温度的升高,尖晶石型结构越来越完整,初始放电比容量增大,但循环性能却逐渐变差。在750℃下烧结温度12h得到了性能较好的HNi0.03Mn1.97O4,首次放电比容量为118.7mA·h/g,50次循环后,其放电比容量仍保持在101.6mA·h/g,适合作为锂离子电池的正极材料。 相似文献
7.
8.
卢海浪 《中国水能及电气化》2006,(10):47-49
磐安水电的发展,在推动县域经济社会发展方面的作用是显而易见的,特别是通过实施全国第二、第四批水电农村电气化县建设,农村水电蓬勃发展,农村电气化建设和经济社会发展速度明显加快,为社会主义新农村建设提供了重要的基础保障。 相似文献
9.
Moonju Cho Degraeve R. Pourtois G. Delabie A. Ragnarsson L.-A. Kauerauf T. Groeseneken G. De Gendt S. Heyns M. Cheol Seong Hwang 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(4):752-758
Atomic layer deposition (ALD) with HfCl4 as a precursor is widely used for HfO2 fabrication. Due to the nature of the precursor under study, i.e., HfCl4 and H2O, the presence of chlorine residues in the film due to insufficient hydrolysis is eminent. Obviously, the chlorine residue in the HfO2 film is suspected to affect the quality of the HfO2 film. In this paper, The authors reduced the concentration of chlorine residues by increasing the H2O oxidant pulse time in between the deposition cycles from 0.3 to 10 and 90 s. Time-of-flight secondary ion mass spectrometry analysis shows that this decreases the chlorine concentration in the HfO2 film by more than one order of magnitude. However, time-dependent dielectric breakdown analysis shows that the lifetime remains quasi unaffected (within identical error bars) for the different injection cycles. Charge pumping analysis was done by varying both pulse frequency and amplitude to investigate the creation of defects, but negligible differences were observed. Therefore, the presence of chlorine residues has no significant impact on the trap generation and reliability of ALD HfO2 layers, and this result corresponded with the mobility result. The experimental picture is confirmed with first-principle calculations that show that the presence of chlorine residues does not induce defect levels in the bandgap of HfO2 相似文献
10.