经有机交联剂活化的低相对分子质量聚合物在墨西哥湾南部水波及矿场的应用

墨西哥南部地区面临的挑战之一是水管理.油流中的水增加了其处理费用,导致结垢,降低了采油量,最终关井(与修井费用有关).甚至当产层中仍然含有大量可采油气时,也常常将这些层废弃以避免产水.虽然天然裂缝对油流有积极的作用,但它们也促进了由锥进效应或油气产层和其上或下层段之间的高渗透薄夹层引起的水或气的流动.如果这些油层产水,就会很快影响其生产能力.另一个必须解决的问题是:边水通过断层、天然裂缝等流动引起的早期水突破.本文将讨论墨西哥南部使用经有机交联剂活化的低相对分子质量聚合物的实例,介绍候选对象的选择过程、总体作业设计、实验室试验结果等,以及在这一地区进行的降低产水量处理.实例中包括衰竭、高度裂缝性油藏.     

Performance and Commercial Application of the Promoter LCC-A for Maximization of Propylene Yield

1 Introduction Propylene as an important feedstock for organic chemicals is mainly originated from steam cracking and catalytic cracking processes. During the FCC process the propylene content varies with the FCC catalyst and process technology adopted, resulting in significant difference in propylene concentration in the cracked product——LPG. The conventional FCC pro- cess generally gives a propylene yield of around 4%, while the FCC process with maximization of propylene yield can in…     

Cu基络合物催化甲醇液相氧化羰化反应

针对甲醇液相氧化羰基化法合成碳酸二甲酯(DMC)工艺,开发了新型Cu基络合催化剂(CuB rnLm)。对CuB rnLm催化剂的活性及其稳定性进行了研究。实验结果表明,采用该催化剂,甲醇转化率和DMC选择性较高;元素价态和物质结构分析表明,CuB rnLm催化剂循环使用5次后仍保持较好的稳定性。采用正交设计和中心响应曲面法设计实验,并使用S tatistica软件进行统计分析,寻求出反应的主要影响因素,并得到优化的工艺条件:反应温度100~110℃、反应压力3.0~3.5M Pa、反应时间4~6h、CuB rnLm催化剂质量浓度(以甲醇的体积计)0.15~0.20g/mL。在此工艺条件下,甲醇转化率可达23%以上,DMC的选择性为96%~98%。     

细节决定采输卤的成败

通过认真学习《细节决定成败》，结合井矿盐开采的实际，分别以生产过程中的三个细节为主，讨论了在采输卤生产技术控制中的细节的重要性。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

优化设计 确保干式气柜安全运行

稀油密封干式气柜普遍应用于钢铁企业储存煤气,而用于炼油厂储存瓦斯气也仅仅是近些年出现的现象,由于干式气柜自身特点所限,一些炼油企业在使用过程中出现一些问题,导致气柜不能安全、有效运行,重点介绍克拉玛依石化公司在干式气柜运用方面的一些经验和体会,希望给有关设计和生产单位提供参考。     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

石油沥青60℃动力粘度测定影响因素的探讨

粘度是表征沥青稠度的一个重要指标。通过论述石油沥青粘度测定法(真空毛细管法)中毛细管的选择、温度、真空度、取样量等对试验结果的影响及试验过程中的其它注意事项,表明了在测定石油沥青的60℃动力粘度时,必须严格按照试验方法的要求进行测定,以保证试验结果的准确性。     

Hf-doped and NH/sub 3/-nitrided high-K gate dielectric thin film with least drain current degradation and flatband voltage shift

A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V.