Zur Verwendbarkeit einer nichtlinearen Theorie der Strahlungsheizung

Zusammenfassung Für einen von der Heizquelle durch Strahlung auf das W?rmegut übertragenen W?rmestrom, der proportional zu einer Potenz der absoluten Temperatur gesetzt ist, wird die Verwendbarkeit der durch das Picardsche Verfahren erhaltenen ersten N?herung begrenzt durch eine Ungleichung, die die Ofenkonstanten erfüllen müssen bei gegebener Ausbrandfunktion der Heizquelle. Wie die Prüfung der Verwendbarkeit im Einzelfall durchzuführen ist, wird nach Art eines Rezeptes angegeben und an je einem Beispiel, bei dem die Theorie anwendbar bzw. nicht anwendbar ist, illustriert.     

6 Vpp-66 GHz-ultrabroadband amplifier for fibre-opticaltransmission systems

A large amount of bandwidth has been achieved with advanced construction methods developed for ultra-high bandwidth distributed amplifiers. A 66 GHz-bandwidth GaAs device with more than 6 Vpp of voltage swing has been manufactured     

Over 80 Gbit/s 2:1 multiplexer and low power selector ICs using InP/InGaAs DHBTs

A 2:1 multiplexer (MUX) and low power selector ICs have been successfully designed and manufactured using an InP/InGaAs DHBT technology. The 2:1 MUX has been tested at data rates up to 80 Gbit/s with an output swing of 600 mV, while the selector IC has achieved operation speed up to 90 Gbit/s at a power consumption of only 385 mW.     

35-GHz static and 48-GHz dynamic frequency divider ICs using0.2-μm AlGaAs/GaAs-HEMTs

Two static and two dynamic frequency dividers based on enhancement and depletion 0.2-μm gate length AlGaAs/GaAs-high electron mobility transistor (HEMT) (f_T=60 and 55 GHz) technology were designed and fabricated. High-speed operations up to 35 GHz for the static frequency dividers and 48 GHz for the dynamic dividers, respectively, have been achieved. The single-ended input and differential outputs to ground simplify many applications. The power consumption is 250 mW for the divide-by-two dividers and 350 mW for the divide-by-four dividers using two supply voltages of 4 and -2.5 V     

Zur linearisierten Theorie der Strahlungsheizung mittels einer stationären Linienquelle

Zusammenfassung Aus den Differentialgleichungen für die W?rmebilanz eines Ofens und für die W?rmeübertragung mit linearer Temperaturabh?ngigkeit der übertragenen W?rme wird für den Sonderfall einer l?ngs des Heizbereichs exponentiell abfallenden W?rmeerzeugung eine Differentialgleichung für die Flammentemperatur hergeleitet und gel?st. Daraus erh?lt man den Zusammenhang zwischen der mittleren Flammentemperatur und der Temperatur des W?rmeguts. In dem allgemeinen Fall beliebiger ?nderung der W?rmeerzeugung l?ngs des beheizten Bereichs ergibt sich das gleiche Verh?ltnis von Eingangstemperatur zur mittleren Flammentemperatur, wenn drei Integrale, in denen die erzeugte W?rme vorkommt, jeweils gleiche Werte haben.     

Spurenstoffabtrennung mit keramischen Nanofiltrationsmembranen als Rotationsscheibenfilter

Reducing micropollutant pollution of water bodies is an important objective of water management and an integral part of environmental policy. Ceramic nanofiltration membranes were developed as multichannel membranes of increased membrane area and rotating disk filters. The membranes developed show retention of over 80 % for PEG 400. The membranes are currently being tested for the separation of micropollutants from wastewater contaminated with pharmaceuticals. With the help of a downstream oxidative process, the trace substances remaining in the permeate are degraded.     

Zur Theorie der Wirbelströme in ebenen Blechen im Rayleigh-Gebiet

Zusammenfassung Ausgehend von dem Rayleighschen Ansatz für die Feldstärkenabhängigkeit der Permeabilität in schwachen Feldern wird die Differentialgleichung für die Feldverteilung im Blech näherungsweise gelöst durch Entwicklung nach Potenzen der Rayleigh-Konstanten. Hieraus wurden die Stromdichte und der Wirbelstromverlust ermittelt, wobei sich letzterer zerlegt in einen bereits bekannten, einer feldstärkenunabhängigen Permeabilität entsprechenden AnteÏl und einen der Rayleigh-Konstanten proportionalen Betrag, die beide in ihrer Feldstärkenunabhängigkeit aus (4,8) zu entnehmen sind; die dort vorkommenden, für die praktische Auswertung notwendigen Funktionen sind in Bild 2 und 3 dargestellt. Während der Rayleigh-Konstanten proportionale Anteil im Fall eines Texturisoperms nur wenige Prozent des Gesamtbetrages beträgt, kann er bei siliziumlegierten Werkstoffen und solchen vom Permalloy-Typ beträchtliche Werte annehmen.     

A coplanar X-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC on s.i. SiC substrate

This work presents a two-stage high-power amplifier monolithic microwave integrated circuit (MMIC) operating between 9 GHz and 11 GHz based on a fully integrated AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) technology on s.i. SiC substrate and is suitable for radar applications. The MMIC device with a chip size of 4.5/spl times/3 mm/sup 2/ yields a linear gain of 20 dB and a maximum pulsed saturated output power of 13.4 W at 10 GHz equivalent to 3.3 W/mm at V/sub DS/=35V, 10% duty cycle, and a gain compression level of 5 dB. Further, dc reliability data are given for the MMIC HEMT technology.     

Device and Design Optimization for AlGaN/GaN X-Band-Power-Amplifiers with High Efficiency

The design, realization and characterization of dual-stage X-band high-power and highly-efficient monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers (PAs) with AlGaN/GaN high electronic mobility transistors (HEMTs) is presented. These high power amplifiers (HPAs) are based on a precise investigation of circuit-relevant HEMT behavior using two different field-plate variants and its effects on PA performance as well as optimization of HPA driver stage size which also has a deep impact on the entire HPA. Two broadband (3 GHz) MMICs with different field-plate variants and two narrowband (1 GHz) PAs with different driver- to final-stage gate-width ratio are realized with a maximum output power of 19-23 W, a maximum power-added efficiency (PAE) of ≥40%, and an associated power gain of 17 dB at X-band. Furthermore, two 1 mm test transistors of the same technology with the mentioned field-plate variants and a 1 mm test MMIC support VSWR-ratio tests of 6:1 and 4:1, respectively.     

A simplified broad-band large-signal nonquasi-static table-basedFET model

In this paper, a simplified nonquasi-static table-based approach is developed for high-frequency broad-band large-signal field-effect-transistor modeling. As well as low-frequency dispersion, the quadratic frequency dependency of the γ-parameters at high frequencies is taken into account through the use of linear delays. This model is suitable for applications related to nonlinear microwave computer-aided design and can be both easily extracted from dc and S-parameter measurements and implemented in commercially available simulation tools. Model formulation, small-signal, and large-signal validation will be described in this paper. Excellent results are obtained from dc up to the device f_T frequencies, even when f _T is as high as 100 GHz