蛋白质的生物合成与模板聚合

本文联系生物体内蛋白质的生物合成、脱氧核糖核酸(DNA)遗传信息的存贮和复制,阐明了化学模板聚合的研究近况。从某种意义上说,遗传工程和蛋白质工程是化学模板聚合向高层次的生物模板聚合过渡的一个中间阶段,遗传工程的发展将使制革业得到质量优良的原皮,而另一方面,蛋白质工程的高度发展,将使皮革行业失去原皮.不过,这时可能成功地人工培育出胶原纤维组织,从而出现一种真正的“仿生革”.     

铜杂质在太阳电池用多晶硅中的沉淀及吸杂行为(英文)

采用扫描红外显微镜、光学显微镜、电感耦合等离子质谱仪和微波光电导衰减仪对铜杂质在多晶硅中不同缺陷状态区域的沉淀和吸杂行为进行研究。发现铜杂质沉淀行为与缺陷密度密切相关,在低缺陷密度区域铜杂质大多易于均质形核形成沉淀,而在高缺陷密度区域铜杂质通常会聚集在缺陷处异质形核而沉淀下来。当铜沾污量较高时,由于在硅基体中的肖特基二极管效应,铜沉淀会令多晶硅中的载流子寿命明显缩短。在900℃下进行快速磷吸杂处理后,这两种区域中的铜杂质都不能得到有效去除。     

为便携式装置提供AM/FM收音机功能

便携式装置已成为半导体产业主要的需求来源之一。这些产品的庞大销售量带动半导体技术大幅创新，不仅把各种新功能整合到很小的体积中，还要将耗电量减到最少。便携式装置的新趋势之一，是同时提供音乐播放以及数据和语音传输功能。尽管数字媒体正日益流行，调频与调幅收音机的需求和受欢迎程度也不可忽略。半导体供货商的挑战是在很小的空间中，以低成本提供这些流行功能。     

乙烯对CVD法制备硅薄膜性能的影响

以硅烷和乙烯的混合气体的原料气,通过常压化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长出了硅薄膜。结合光电子能谱、高分辨电镜以及薄膜抗腐蚀性研究,证实乙烯的引入使硅薄膜中形成一定数量的ＳｉＣ微晶粒。ＳｉＣ较高的化学稳定性使薄膜具有较强的耐碱性,而其较小的折射率使薄膜的镜面反射率较高低。含有ＳｉＣ的硅薄膜经碱液适当腐蚀后能降低镜面反射,进而有可能减少光污染现象。     

轧制方向对Fe-3％Si合金织构演变规律的影响

形成锋锐的Goss织构是取向硅钢获得优异磁性能的关键, 初始样品表层中较强的Goss织构对最终的强Goss织构起重要作用. 本文通过改变硅钢冷轧方向获得不同的初始织构及初始组织, 考察热轧板表层及中心层不同的组织及织构的进一步变化对一次冷轧、中间退火、二次冷轧及脱碳退火、二次再结晶退火后的织构及组织变化规律的影响. 探讨了这些特殊方式制备的样品中Goss织构的形成条件. 结果表明, 强烈的初始组织及织构的差异随轧制及退火次数的增多逐渐消失; 最终二次再结晶都可顺利进行, Goss织构及磁性能差异并不大. 虽然初始样品中Goss织构的强弱差异很大, 但因各阶段都可以形成较强的 {111}<112>织构, 弥补了初始样品中Goss织构过弱的不足, 因此轧制方向及初始组织都对最终的织构影响不大. 研究还证实了立方织构的遗传性; 横向轧制是消除稳定的{112}<110>轧制织构的有效方法.     

ZnO含量对Tb3+掺杂ZnO-B2O3-SiO2玻璃余辉性能及光致变色的影响

选择制备了Tb3+掺杂的不同ZnO含量、组成为xZnO- [(100-x)/2]B2O3-[(100-x)/2]SiO2(x=55,60, 65,70)的ZBS玻璃.并通过光致发光光谱、余辉衰减曲线、热释光谱以及紫外-可见吸收光谱系统地研究了该玻璃系统的余辉发光特性和光致变色现象.随着ZnO含量的增加,基质玻璃中Tb3+的5D4→7F5跃迁对应的余辉发光强度增大、其寿命变长.热释光谱表明ZnO含量的提高没有形成新的陷阱,而是增加了陷阱的浓度导致余辉寿命增长.光致变色实验发现:不同样品在紫外照射后其变色程度随ZnO含量增加而增加.玻璃的变色主要由色心引起,本研究中ZnO含量的增加使玻璃基质中Zn离子相关的氧空位浓度增大,从而在紫外光照射后,具有不同陷阱能级深度的色心浓度也相应增加,最终导致了所观察到的余辉特性和光致变色特性的变化结果.另外,通过对不同温度热处理后样品的透过率变化实验分析认为,陷阱能级浅的色心对长余辉有贡献,能级深的将稳定存在于基质中,并对光致变色有较大贡献.     

氧化锌薄膜研究进展

本文介绍了制备ＺｎＯ薄膜的常见方法和影响薄膜结构的主要因素，并已在Ｓｉ衬底上利用直流反应磁控溅射法制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ薄膜     

铝对低硅稀土蠕铁组织和性能的影响

研究了铝对低硅稀土蠕铁石墨形态、基体组织、机械性能及抗氧化性能的影响．研究表明，在含有１．９４％～４．２６％Ａｌ时，蠕化率提高、铁素体含量增加、强度及塑韧性较好、硬度较低、而且变化较小．蠕铁的抗氧化性随铝含量的提高而增加，含Ａｌ达到４．２６％时，７００℃×５００ｈ平均氧化速度只有含０．８９％Ａｌ时的１１２．     

走进数字电源新时代

近来，市场对数字化电源的需求已大幅攀升。先进的半导体工艺技术不但使元器件速度更快、体积更小，而且它们还要求更低（密度更大）的供电电压和更高的供电电流；在此同时，最终系统的功能持续提升，而体积和平均售价则不断下降。这些因素迫使电源设计者要不断地开发出更精确、响应速度更快、效率更高、体积更小、成本更低和上市时间更快的电源产品。面对这些问题，传统模拟控制解决方案正逐渐变得束手无策。     

Control of nonmetallic inclusions of non-oriented silicon steel sheets by the rare earth treatment

Based on the industrial production of non-oriented silicon steel,the rare earth(RE) treatment during the Ruhrstahl Heraeus(RH) refining process was studied.The morphology and the size distribution were observed for the steel specimens treated with different RE treatment conditions.Furthermore,the formation and change of the nonmetallic inclusion characteristics of finished steel sheets after the RE treatment were discussed.The results have shown that in the present work,the suitable RE metal additions are 0.6-0.9 kg/t steel.After the suitable RE treatment,the formation of AlN and MnS inclusions were restrained,and the aggregation,flotation and removal of nonmetallic inclusions were efficiently promoted and the cleanliness of liquid steel was significantly increased.Meanwhile,the total oxygen concentration reached the minimum value and the desulfurization efficiency was optimal,and the type of main inclusions was approximately spherical or elliptical spherical RE radicle inclusions whose size was relatively large.